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国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
D朴は蒸気段階、赤外線、または波のはんだ付けする技術を使用して表面取り付けのために設計されている。まっすぐな鉛版（IRFUシリーズ）は適用を取付けるによ穴のためである。電力損失のレベルは1.5ワットまで典型的な表面の台紙の塗布で可能である。