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| 無鉛状態/RoHSの状態: | 迎合的な無鉛/RoHS |
|---|---|
| 詳細な説明: | SRAM -非同期記憶IC 4Mb （512K X 8）平行10ns 36-SOJ |
| 電圧-供給: | 1.65 V | 3.6ボルト |
| 記憶容量: | 4Mb （512K X 8） |
| 記憶インターフェイス: | 平行 |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい: | 10ns |
| 湿気感受性のレベル（MSL）: | 3 （168時間） |
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| 技術: | SRAM -非同期 |
| 実用温度: | -40°C | 85°C （TA） |
熱い提供のハイライト
| プロダクト モデル | ブランド |
| ATSAMD20E17A-MUT | マイクロチップ |
| IRF7832TRPBF | INFINE0N |
| CY8C4025AXI-S412 | CYPRESS |
| ADC78H90CIMTX/NOPB | チタニウム |
| DPS310XTSA1 | INFINE0N |
| TLC5941QPWPRQ1 | チタニウム |
| TPD2S701QDSKRQ1 | チタニウム |
| TPD8F003DQDR | チタニウム |
| MC9S08AW32CFUE | |
| MSP430FR2311IPW20R | チタニウム |
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