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PZU3.3DB2,115分離した半導体の表面の取付けられたダイオード

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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PZU3.3DB2,115分離した半導体の表面の取付けられたダイオード

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型式番号 :PZU3.3DB2,115
支払の言葉 :D/A、T/T、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :1-2の仕事日
包装の細部 :テープ及び巻き枠(TR)
許容 :±2%
パッケージ/場合 :5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353
タイプの取付け :表面の台紙
包装 :テープ及び巻き枠(TR)
製造者装置パッケージ :5-TSSOP
構成 :2独立した
無鉛状態/RoHSの状態 :迎合的な無鉛/RoHS
詳細な説明 :ツェナー ダイオードの配列2独立した3.3V 250mW ±2% 5-TSSOP
前方電圧- ((最高) Vf) @ :900mV @ 10mA
パワー最高 :250mW
現在-逆の漏出@ Vr :5µA @ 1V
湿気感受性のレベル(MSL) :1 (無制限)
インピーダンス(最高) (Zzt) :95オーム
基礎部品番号 :PZU3V3DB
他の名前 :934061532115 PZU3.3DB2 T/R PZU3.3DB2 T/R-ND
実用温度 :-55°C | 150°C
電圧- Zener (Nom) (Vz) :3.3V
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PZU3.3DB2,115

 

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