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EVの充電器力のためのDC750V半導体高速ヒューズの使用

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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EVの充電器力のためのDC750V半導体高速ヒューズの使用

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モデル番号 :HEV-J-Q
原産地 :中国
最小注文数量 :body{background-color:#FFFFFF} 非法阻断155 window.onload = function () { docu
支払い条件 :T/T、L/C
供給能力 :100万個
納期 :5-8日
パッケージの詳細 :標準カートンパッキング
素材 :ファイバ
色 :
定格電流 :5A-800A
定格電圧 :1000VDC
タイプの保護 :aR
遮断容量 :DC30KA
応用 :電気自動車充電器
キーワード :EV充電器ヒューズ
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中国でのDC750V半導体ヒューズの供給

DC750Vヒューズの基本情報

定格電圧:DC750V以下

定格電流:40A/ 50A/ 60A/ 70A/ 80A/ 125A/ 150A/ 200A/ 250A/ 300A

等級を保護して下さい: aR;

遮断容量: DC50kA (時定数≤15ms)

インストール:ボルトオン

DC750Vヒューズの適用

このシリーズの製品は、小型、低I²t、高遮断能力特性およびその他の特性を備えた丸管ボルト取り付け接続ヒューズです。周波数変換器、整流器、インバーター、各種電源、その他の半導体機器、動力用バッテリー、電気モーター、コンデンサー、ケーブル、機器や部品の短絡、バックアップ保護に適用できます。この製品は、優れた耐振動性と難燃性を備えています。鉄道輸送や自動車などの振動環境用途に適しています。

半導体ヒューズの構造

本体材質はファイバーチューブ、ヒューズ線は銅または銀、エンドキャップは銅合金錫メッキです。

半導体ヒューズの寸法は、定格電流に合わせてサイズをお選びください。

EVの充電器力のためのDC750V半導体高速ヒューズの使用

次元コード A±2 B±1.5 C±1 D±1.5 E±1.5 F±1 G±0.5 H±0.2 J±1
HF1 124 25 78 100 109 9 18 4 13.5
HF2 117 33 78 93 100 9 22 5 12.5
HF3 139.5 38 83.5 99.5 120 10.5 25 6 20.7
HF4 146.5 50 89.5 106 126.5 10.5 38 6 20.7
HF5 197.5 63 89.5 123.5 162.5 13.5 50 10 33

HF1: 5A~80Aの定格電流範囲

HF2:定格電流範囲90A~150A

HF3:定格電流範囲175A~325A

HF4:定格電流範囲350A~500A

HF5:定格電流範囲 600A~800A

高度

通常の使用状態

標高は2000m以下。

許容される使用条件

2000m~4500m。

高度変化パラメータ補正:高高度は主に絶縁劣化、放熱条件の悪化、気圧変化の原因となります。

高度が 100m 上昇すると、布施の温度が 0.1 ~ 0.5k 上昇します。

高度が 100m 上昇すると、周囲温度は平均 0.5k 程度低下します。

開放環境でヒューズを使用する通常の状態では、定格電流に影響する標高を無視して、標準状態として使用できます。40℃を超える場合は定格電流のディレーティングが必要です。高度が 1000m 上昇すると、定格電流が 2% ~ 5% 低下します。

注: 同じ寸法のシリーズでは、最大定格電流はより高いディレーティング比を採用し、低い定格電流はより低いディレーティング比を使用します。空気絶縁強度 (破壊強度) に対する高度の影響。

空気絶縁耐力(破壊強度)に対する高度の影響

高度が上がると、空気の断熱強度が低下します。2000 ~ 4500 メートルでは、高度が 1000 メートル上昇すると、定格電流が 12 ~ 15% 低下します。GB/T16935.1 を参照し、それに応じて絶縁ギャップを修正します。

ヒューズ端子間の絶縁距離は、一般に、GB/T16935.1、表 A1、および A2 標準で要求される絶縁ギャップよりもはるかに大きくなっています。体積が小さい個別のヒューズを除いて、絶縁ギャップを確認する必要はありません。

ヒューズ ベルトと他の活電構造物との間、および接地との間の絶縁ギャップについては、ユーザーは高度の影響を考慮する必要があります。

よくある質問

質問 1: ヒューズの選び方を教えてください。

回答:最初に、お客様の実際の申請書をお送りします。通常、お客様のアプリケーション分野、動作電流と動作電圧、設置方法、認証要件、およびその他のパラメータ要件をクリアする必要があります。

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