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2Mビット 10ns SRAMメモリチップ 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

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2Mビット 10ns SRAMメモリチップ 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI

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モデル番号 :CY7C1011DV33-10ZSXI
原産地 :TWN
最低注文量 :1
支払条件 :T/T,ウェスタン・ユニオン
供給能力 :10000
配達時間 :5-8day
パッケージングの詳細 :T/R
製造業者 :INFINEON
製品カテゴリ :SRAM
メモリサイズ :2 Mbit
組織 :128k × 16
パッケージ/場合 :TSOP-44
湿気に敏感 :そうだ
シリーズ :CY7C1011DV33
工場パック数量 :675
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SRAM 2Mbit 静的 RAM 高性能 COMS 静的ランダムアクセスメモリ CY7C1011DV33-10ZSXI
製品仕様
属性 価値
製造者 インフィニオン
製品カテゴリー SRAM
メモリサイズ 2 Mbit
組織 128k × 16
パッケージ/ケース TSOP-44
湿度 敏感 そうだ
シリーズ CY7C1011DV33
工場用品数 675
主要 な 特徴
  • CY7C1010CV33に対応するピンと機能
  • 高速:tAA = 10 ns
  • 低有効電源:ICC = 10 ns で 90 mA
  • 低CMOS待機電源: ISB2 = 10 mA
  • 2.0 V データ保存
  • 選択を停止すると自動停止
  • TTL対応の入力と出力
  • CE と OE の機能でメモリを簡単に拡張する
  • Pb のない36ピン SOJ と44ピン TSOP II パッケージで入手可能
機能説明

CY7C1010DV33は,高性能CMOS静的RAMで,256K文字×8ビットに分類されている.メモリ拡張は,Low Chip Enable (CE),Low Output Enable (OE) が提供されている.そして3つの状態のドライバー.

デバイスへの書き込みは,チップ有効化 (CE) と書き込み有効化 (WE) の入力をLOWで行う.8つのI/Oピンのデータ (I/O0からI/O7) は,アドレスピンの指定位置 (A0からA17) に書き込まれます..

デバイスからの読み取りは,チップ有効化 (CE) と出力有効化 (OE) をLowで,書き込み有効化 (WE) をHIGHで実行する.これらの条件下で,アドレスピンで指定されたメモリロケーションの内容が I/Oピンに表示されます..

テクニカル仕様
アクセス時間 10 ns
インターフェースタイプ パラレル
供給電圧範囲 3Vから3.6V
動作温度 -40°Cから+85°C
マウントスタイル SMD/SMT
製品画像
2Mビット 10ns SRAMメモリチップ 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 2Mビット 10ns SRAMメモリチップ 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI 2Mビット 10ns SRAMメモリチップ 128 K X 16 CY7C1011DV33-10ZSXI
梱包 と 輸送

標準的な輸出パッケージは利用可能.顧客は,その要求に応じて,紙箱,木製ケース,木製パレットから選択することができます.

よく 聞かれる 質問
価格をどうやって手に入れるの?

通常,問い合わせを受けた後24時間以内に (週末や祝日を除く) 価格表を提供します.緊急の要求については,メールまたは電話で直接ご連絡ください.

配達時間は?

配送時間は,注文量と季節によって異なります.小批量通常7-15日以内に出荷され,より大きな注文は約30日かかります.

お支払い条件は?

標準条件: 30%の預金と70%の残高をT/Tで出荷前に支払います

配送の選択肢は?

海上,航空,急送 (EMS,UPS,DHL,TNT,FEDEXを含む) を提供します.注文する前にご希望の方法を確認してください.

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