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64Mb 8Mbx8 PSRAM チップ 166MHz ハイパーラム IS66WVH8M8ALL 166B1LI

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64Mb 8Mbx8 PSRAM チップ 166MHz ハイパーラム IS66WVH8M8ALL 166B1LI

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モデル番号 :IS66WVH8M8ALL-166B1LI
産地 :CN
最低注文量 :1
支払条件 :ウェスタンユニオン,T/T
供給能力 :10000
Delivery Time :5-8day
パッケージの詳細 :T/R
製造業者 :ISSI
製品カテゴリ :DRAM
タイプ :ハイパーRAM
メモリサイズ :64 Mbit
データ・バス幅 :8ビット
パッケージ/場合 :TFBGA-24
シリーズ :IS66WVH8M8ALL
湿気に敏感 :そうだ
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PSRAM DRAM 64Mb 8Mbx8 166MHz ハイパーラム 偽静的ランダムアクセスメモリ IS66WVH8M8ALL-166B1LI
製品仕様
属性 価値
製造者 ISSI
製品カテゴリー DRAM
タイプ ハイパーRAM
メモリサイズ 64 Mbit
データバスの幅 8ビット
パッケージ/ケース TFBGA-24
シリーズ IS66WVH8M8ALL
湿度 敏感 そうだ
製品概要

IS66/67WVH8M8ALL/BLLは, 8M文字×8ビットに分類された自動リフレッシュ DRAM配列を使用した 64Mbit 偽静的ランダムアクセスメモリを含む統合メモリデバイスである.デバイスはHyperBusインターフェースをサポートします非常低信号数 (アドレス,コマンドおよび8つのDQピンを介してデータ),隠されたリフレッシュ操作,および自動車温度操作,特にモバイルおよび自動車アプリケーションのために設計されています.

主要 な 特徴
  • HyperBusTM 低信号数値インターフェース- 3.0V I/O,単端時計 (CK) と11バス信号または1.8V I/O,差分時計 (CK,CK#) と12バス信号
  • 高性能- 倍データレート (DDR) で最大333MB/s
  • 166-MHzクロックレート (333 MB/s) 1.8V VCC
  • 100MHzクロックレート (200MB/s) 3.0V VCC
  • コンフィギュレブル・バースト特性 包装式または線形バーストオプション
  • 24ボール FBGA パッケージ
テクニカル仕様
組織 8 M × 8
アクセス時間 36 ns
供給電圧範囲 1.7Vから1.95V
動作温度 -40°Cから+85°C
供給電流 (最大) 60mA
マウントスタイル SMD/SMT
工場用品数 480
単位重量 0.002963オンス
製品画像
梱包 と 輸送

標準的な輸出パッケージは利用可能.顧客は,その要求に応じて,紙箱,木製ケース,木製パレットから選択することができます.

よく 聞かれる 質問
1値段はどうしたらわかる?

我々は通常,あなたの問い合わせを受け取った後24時間以内に引用します (週末と祝日を除く).あなたが急いで価格を必要としている場合は,より迅速な応答のために直接私達に連絡してください.

2配達時間は?

通常は小批量では7~15日,大批量では約30日.正確なタイミングは注文量と季節によって異なります.

3支払い条件は?

工場価格,30%預金,70%T/T出荷前の支払い

4輸送手段は?

海,空,または急送 (EMS,UPS,DHL,TNT,FEDEX,など) で利用できます.注文する前に当社に確認してください.

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