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| 属性 | 値 |
|---|---|
| 商品カタログ | メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM) |
| 汎用パッケージ | FBGA-96 |
| 取り付け方法 | 表面実装 |
| 動作温度 | 95℃(最大) |
| 最大動作供給電圧 | 1.575V |
| 最小動作供給電圧 | 1.425V |
| 構成 | 256MX16 |
| データバス幅 | 16ビット |
| ストレージ容量 | 512MB |
| 長さ×幅×高さ | 13mm × 7.5mm × 760μm |
| RoHS | 準拠 |
DRAMダイナミックランダムアクセスメモリチップ 512MB 16ビット FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDCは、高密度メモリと高帯域幅を必要とするメインメモリアプリケーションに非常に適した、4,294,967,296ビットCMOSデュアルデータレートIII (DDR3)同期DRAMです。
SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMは、クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジを参照する完全同期動作を提供します。すべてのアドレスと制御入力はCKの立ち上がりエッジでラッチされ、データ、データストローブ、および書き込みデータマスク入力は立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方でサンプリングされます。
標準的な輸出梱包が利用可能です。お客様は、要件に応じてカートン、木製ケース、木製パレットから選択できます。
通常、お問い合わせを受け取ってから24時間以内（週末と祝日を除く）に見積もりを行います。緊急の見積もりについては、直接お問い合わせください。
少量のバッチは通常7〜15日以内に発送され、大量のバッチは注文数量と季節によって約30日かかります。
工場価格、30％のデポジット、出荷前の70％T/T支払い。
海上、航空、または速達便（EMS、UPS、DHL、TNT、FEDEX）で利用できます。ご注文前にご確認ください。
お客様の利益を確保するために、高品質と競争力のある価格を維持しています。すべてのお客様を尊重し、長期的なパートナーシップを重視しています。
