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8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

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8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

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型番 :K4A8G165WC-BITD
産地 :KR
最低注文量 :1
支払条件 :ウェスタンユニオン,T/T
供給能力 :10000
配達時間 :5-8day
パッケージの詳細 :T/R
製品カタログ :メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ DRAM
ユニバーサルパッケージ :FBGA-96
ROHS :準拠性
Installation Method :表面実装のインストール
動作温度 :-40~95°C
適用グレード :工業用品
梱包方法 :パレット
貯蔵容量 :512MX16
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Dynamic Random Access Memory DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
製品仕様
属性
製品カタログ メモリ > Dynamic Random Access Memory DRAM
ユニバーサルパッケージ FBGA-96
RoHS コンプライアンス
取り付け方法 表面実装
動作温度 -40~95℃
アプリケーショングレード 産業グレード
梱包方法 パレット
ストレージ容量 512Mx16
技術詳細
  • JEDEC規格1.2V(1.14V~1.26V)動作
  • VDDo = 1.2V(1.14V~1.26V)、VPp = 2.5V(2.375V~2.75V)
  • 最大3200Mb/秒/ピン(DDR4-3200)の速度
  • 8バンク(2バンクグループ)構成
  • プログラム可能なCASレイテンシとCASライトレイテンシ
  • 8ビットプリフェッチアーキテクチャ
  • 双方向差動データストローブ
  • ZQピンによる内部自己校正(RZQ:240オーム±1%)
  • ODTピンを使用したオンダイターミネーション
  • 非同期リセット機能
  • データセキュリティのためのCRC(巡回冗長検査)
  • コマンドアドレスパリティチェック
  • データバス反転(DBI)サポート
  • ギアダウンモード利用可能
  • POD(疑似オープンドレイン)インターフェース
製品画像
8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
梱包情報

標準的な輸出梱包が利用可能です。お客様は、要件に応じて、カートン、木製ケース、木製パレットから選択できます。

よくある質問
価格はどのようにして入手できますか?

通常、お問い合わせを受け取ってから24時間以内(週末と祝日を除く)に見積もりを提供します。緊急の見積もりについては、メールまたはその他の利用可能な方法で直接お問い合わせください。

納期はどのくらいですか?

納期は注文数量と季節によって異なります。少量の注文は通常7〜15日以内に発送されますが、大量の注文には約30日かかる場合があります。

支払い条件は何ですか?

出荷前に、30%のデポジットと70%の残高をT/T経由で支払う工場価格。

配送オプションは何ですか?

海上、航空、または速達便(EMS、UPS、DHL、TNT、FEDEX)での配送を提供しています。ご注文前にご希望の配送方法をご確認ください。

長期的な顧客関係をどのように維持していますか?

品質と競争力のある価格を優先し、顧客満足度を確保しています。すべてのビジネス関係を重視し、すべての取引に誠実さとプロ意識を持って取り組んでいます。

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