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H5TC4G63CFR - PBAR DDR3のドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96のドラム モジュール

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H5TC4G63CFR - PBAR DDR3のドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96のドラム モジュール

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型式番号 :H5TC4G63CFR-PBAR
最低順序量 :1 個のパッケージ
支払の言葉 :T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他
供給の能力 :1 か月あたり 30 K
包装の細部 :10cmX10cmX5cm
項目No。 :H5TC4G63CFR-PBAR
記憶幅 :16
記録密度 :四ギガバイト
パッケージ :PBGA-96
記憶IC TypeLE :ドラム モジュール
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H5TC4G63CFR-PBAR DDR3のドラムの記憶(256MX16、CMOS、PBGA96)

H5TC4G63CFR - PBAR DDR3のドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96のドラム モジュール

部品は4Gb低い電力の倍のデータ転送速度理想的に主記憶操置適用に適する1.35Vで大きい記録密度、高い帯域幅および低い電力操作を要求するIII (DDR3L)同期ドラムを、である。SK Hynix DDR3L SDRAMは変更なしで1.5V DDR3によって基づく環境を下位互換性に与える。SK Hynix 4Gb DDR3L
SDRAMsは時計の落ちる上がり、端に参照される十分に同期動作を提供する。間
すべての住所および操作量は時計(時計の落ちる端)の上昇端で掛け金を降ろされる、
データ、データ ストロボはそれの落ちる上がり、端でデータ マスクの入力を書くために見本抽出され。データ
道は内部的に導管で送られ、非常に高い帯域幅を達成するために8ビットはprefetched。

指定

Mfrのパッケージの記述 FBGA-96
迎合的に達しなさい はい
迎合的なEU RoHS はい
迎合的な中国RoHS はい
状態 活動的
アクセス・モード 多銀行ページの破烈
JESD-30コード R-PBGA-B96
記録密度 4.294967296E9ビット
記憶ICタイプ ドラム モジュール
記憶幅 16
機能の数 1
港の数 1
ターミナルの数 96
単語の数 2.68435456E8単語
文字暗語の数 256M
オペレーティング・モード 同期
作動温度分 0.0 Cel
温度最高作動 85.0 Cel
構成 256MX16
パッケージ ボディ材料 PLASTIC/EPOXY
パッケージ コード TFBGA
パッケージの形 長方形
パッケージ様式 格子配列、薄いプロフィール、良いピッチ
ピーク退潮の温度(Cel) 260
つけられていた高さ最高 1.2 mm
供給の電圧Nom (Vsup) 1.35 V
供給電圧分(Vsup) 1.283 V
電圧最高供給(Vsup) 1.45 V
表面の台紙 肯定
技術 CMOS
温度の等級
末端の形態
末端ピッチ 0.8 mm
末端の位置
温度最高Time@Peakの退潮(s) 20
長さ 13.0 mm
7.5 mm
付加的な特徴 AUTO/SELFは新たになる
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