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ICの破片SRAM IS61WV25616BLL-10TLIの記憶IC破片-非同期記憶IC 4Mb平行10ns TSOP44
特徴:
高速:（IS61/64WV25616ALL/BLL）
•高速アクセスの時間:8、10、20 ns
•低いアクティブな電源:85 MW （典型的な）
•低い予備発電:7 MW （典型的な） CMOSのスタンバイ
低い電力:（IS61/64WV25616ALS/BLS）
•高速アクセスの時間:25、35、45 ns
•低いアクティブな電源:35 MW （典型的な）
•低い予備発電:0.6 MW （典型的な） CMOSのスタンバイ
•単一の電源
—VDD 1.65Vへの2.2V （IS61WV25616Axx）
—VDD 2.4Vへの3.6V （IS61/64WV25616Bxx）
•十分に静的な操作:時計はまたは要求されて新たにならない
•3州の出力
•上部および下のバイトのためのデータ制御
•産業および自動車温度サポート
•無鉛利用できる
記述
ISSI IS61WV25616Axx/BxxおよびIS64WV25616Bxx
高速、16ビットにつき262,144ワードとして組織される4,194,304ビット静的なラムはである。それは製造されたusingISSIの高性能CMOSの技術である。この革新的な回路設計の技術とつながれる信頼性が高い親cess
高性能収穫および低い電力の消費の非悪。
セリウムが（選択解除される）高くある時、装置は電力損失がCMOSの入力レベルと減らすことができる待機モードを仮定する。
容易なメモリ拡張は破片の使用によって可能になる提供され、出力は入力、セリウムおよびOEを可能にする。活動的な低速は可能になる（私達）制御する記憶の執筆そして読書を両方書く。データ バイトは上部バイト（UB）およびより低いバイト（LB）のアクセスを可能にする。
IS61WV25616Axx/BxxおよびIS64WV25616BxxはJEDEC標準的な44ピンTSOPタイプIIおよび48ピン小型BGA （6mm x 8mm）で包まれる。
DCの電気特徴（動作範囲に）
| 記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | 最高。 | 単位 |
| VOH | 出力高圧 | VDD = Min.、IOH = – 4.0 mA | 2.4 | — | V |
| VOL. | 出力低電圧 | VDD = Min.、IOL = 8.0 mA | — | 0.4 | V |
| VIH | 入れられた高圧 | 2 | VDD + 0.3 | V | |
| VIL | 入れられた低電圧（1） | – 0.3 | 0.8 | V | |
| ILI | 入れられた漏出 | GNDの£ VINの£ VDD | – 1 | 1 | µA |
| ILO | 出力漏出 | GNDの£ VOUTの£ VDDの出力は不具になった | – 1 | 1 | µA |
注:
1. VIL （min.） = – 0.3V DC;VIL （min.） = – 2.0V AC （脈拍幅< 10 ns）。テストされるない100%。
VIH （最高。） = VDD + 0.3V DC;VIH （最高。） = VDD + 2.0V AC （脈拍幅< 10 ns）。テストされるない100%。
DCの電気特徴（動作範囲に）
| 記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | 最高。 | 単位 |
| VOH | 出力高圧 | VDD = Min.、IOH = – 1.0 mA | 1.8 | — | V |
| VOL. | 出力低電圧 | VDD = Min.、IOL = 1.0 mA | — | 0.4 | V |
| VIH | 入れられた高圧 | 2.0 | VDD + 0.3 | V | |
| VIL | 入れられた低電圧（1） | – 0.3 | 0.8 | V | |
| ILI | 入れられた漏出 | GNDの£ VINの£ VDD | – 1 | 1 | µA |
| ILO | 出力漏出 | GNDの£ VOUTの£ VDDの出力は不具になった | – 1 | 1 | µA |
注:
1. VIL （min.） = – 0.3V DC;VIL （min.） = – 2.0V AC （脈拍幅< 10 ns）。テストされるない100%。
VIH （最高。） = VDD + 0.3V DC;VIH （最高。） = VDD + 2.0V AC （脈拍幅< 10 ns）。テストされるない100%。
DCの電気特徴（動作範囲に）
| 記号 | 変数 | テスト条件 | VDD | Min. | 最高。 | 単位 |
| VOH | 出力高圧 | IOH = -0.1 mA | 1.65-2.2V | 1.4 | — | V |
| VOL. | 出力低電圧 | IOL = 0.1 mA | 1.65-2.2V | — | 0.2 | V |
| VIH | 入れられた高圧 | 1.65-2.2V | 1.4 | VDD + 0.2 | V | |
| VIL （1） | 入れられた低電圧 | 1.65-2.2V | – 0.2 | 0.4 | V | |
| ILI | 入れられた漏出 | GNDの£ VINの£ VDD | – 1 | 1 | µA | |
| ILO | 出力漏出 | GNDの£ VOUTの£ VDDの出力は不具になった | – 1 | 1 | µA | |
注:
1. VIL （min.） = – 0.3V DC;VIL （min.） = – 2.0V AC （脈拍幅< 10 ns）。テストされるない100%。
VIH （最高。） = VDD + 0.3V DC;VIH （最高。） = VDD + 2.0V AC （脈拍幅< 10 ns）。テストされるない100%。
| 変数 | 単位 | 単位 | 単位 |
| （2.4V-3.6V） | （3.3V +10%） | （1.65V-2.2V） | |
| InputPulseLevel | 0Vto3V | 0Vto3V | 0Vto1.8V |
| 入れられた上昇および落下時間 | 1V/ ns | 1V/ ns | 1V/ ns |
| InputandOutputTimingのandReferenceLevel （VRef） | 1.5V | 1.5V | 0.9V |
| OutputLoad | 図1および2を見なさい | 図1および2を見なさい | 図1および2を見なさい |