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THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵

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THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵

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型式番号 :THGBM5G5A1JBA1R
最低順序量 :1 部分
支払の言葉 :T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他
供給の能力 :1ヶ月あたりの500-2000pcs
包装の細部 :10cm x 10cm x 5cm
受渡し時間 :3-5 日
製品 :記憶貯蔵
密度 :4グラム
使用 :モバイル
PKG :BGA153
温度 :25°C | 85°C
電圧 :2.7 V | 3.6 ボルト
速度 :200MHz
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フラッシュ・メモリの破片THGBM5G5A1JBA1Rの記憶BGA-153 4GB否定論履積抜け目がなく新しい&originalの貯蔵

 

 

記述:

 

24nm 128G THGBM4TODBGAIJ  
64G THGBM4G9D8GBAII
32G THGBM4G8D4GBAIE
16G THGBM4G7D2GBAIE
8G THGBM4G6D2GBAIR
4G THGBM4G5D1HBAIR
2G THGBM4G4D1HBAIR
19NM 16G THGBM6G7T2JBAIM 全盛
8G THGBM6G6T1JBAIR
32G THGBM5G8A4JBAIM 報酬
16G THGBM5G7A2JBAIM
8G THGBM5G6A2JBAIR
4G THGBM5G5A1JBAIR
128G 下の調査 最高
64G THGBM5G9B8JBAIM
32G THGBM5G8B4JBAIM
16G THGBM5G7B2JBAIM

 

 

 

 

特徴:

THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵

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