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フラッシュ・メモリの破片MX30LF1208AA-XKI IC否定論履積のフラッシュ512M平行63VFBGA
特徴:
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記述 | 価値 |
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建築 | Sectored |
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ブロック構成 | 対称 |
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ブート ブロック | はい |
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細胞のタイプ | SLC否定論履積 |
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互換性がある命令 | いいえ |
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密度 | 2 GB |
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ECCサポート | はい |
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消去/概要モード サポートは中断する | いいえ |
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インターフェイスの種類 | 平行 |
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鉛の終わり | 錫|銀|銅 |
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最高の処理の臨時雇用者 | 260 |
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最高の消去の時間 | 0.003/Block s |
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最高の動作電流 | 35 mA |
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最高の作動の供給電圧 | 3.6 V |
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最高のプログラミングの時間 | 0.6/Page氏 |
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最低の作動の供給電圧 | 2.7 V |
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土台 | 表面の台紙 |
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単語ごとのビットの数 | 8ビット |
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単語の数 | 256 MWords |
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実用温度 | -40から85 °C |
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ページ サイズ | 2 KB |
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ピン・カウント | 63 |
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プロダクト次元 | 11 x 9 x 0.75 （最高） |
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プログラム流れ | 35 mA |
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プログラミングの電圧 | 2.7から3.6ボルト |
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レベルの選別 | 自動車 |
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セクタ サイズ | 128のx 2048 KB |
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同時読み書きサポート | いいえ |
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製造者のパッケージ | VFBGA |
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ページ モードのサポート | いいえ |
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タイミングのタイプ | 非同期 |
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典型的な作動の供給電圧 | 3.3000 V |