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フラッシュ・メモリの破片TC58NVG0S3HBAI4 ICは1G平行63TFBGA点滅する
| 部門 | 集積回路（IC） | |
|---|---|---|
| 記憶 | ||
| 製造業者 | Toshiba Memory America、Inc。 | |
| シリーズ | - | |
| 包装 | 皿 | |
| 部分の状態 | 活動的 | |
| 記憶タイプ | 不揮発性 | |
| 記憶フォーマット | フラッシュ | |
| 技術 | フラッシュ-否定論履積（SLC） | |
| 記憶容量 | 1Gb （128M x 8） | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 25ns | |
| アクセス時間 | 25ns | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| 電圧-供給 | 2.7 V | 3.6ボルト | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | |
| パッケージ/場合 | 63-VFBGA | |
| 製造者装置パッケージ | 63-TFBGA （9x11） |
特徴:
