フラッシュ・メモリの破片W631GG6KB-12のICのドラム1Gの平行96WBGA

DRAMチップDDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96 Pin WBGA
プロダクト技術仕様
EU RoHS | 迎合的 |
ECCN (米国) | EAR99 |
ドラムのタイプ | DDR3 SDRAM |
破片密度(ビット) | 1G |
構成 | 64Mx16 |
内部銀行の数 | 8 |
銀行ごとの単語の数 | 8M |
ビット/単語(ビット)の数 | 16 |
データ・バス幅(ビット) | 16 |
最高のクロック レート(MHz) | 1600 |
住所バス幅(ビット) | 16 |
最低の作動の供給電圧(v) | 1.425 |
典型的な作動の供給電圧(v) | 1.5 |
最高の作動の供給電圧(v) | 1.575 |
動作電流(mA) | 280 |
最低の実用温度(°C) | 0 |
最高使用可能温度(°C) | 85 |
入力/出力ライン(ビット)の数 | 16 |
製造者のパッケージ | WBGA |
標準パッケージの名前 | BGA |
ピン・カウント | 96 |
土台 | 表面の台紙 |
パッケージの高さ | 0.8 (最高) |
パッケージの長さ | 13 |
パッケージの幅 | 9 |
PCBは変わった | 96 |
鉛の形 | 球 |
特徴:


