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ドラムのメモリー チップのドラムのメモリー チップH9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200のメモリー チップの貯蔵
指定
特徴
·VDD1 = 1.8V （1.7Vへの1.95V）
·VDD2、VDDCAおよびVDDQ = 1.1V （1.06に1.17）
·VSSQは終えたDQ信号（DQ、DQS_t、DQS_c、DMI）を
·単一の命令および住所のための建築をデータ転送速度;
- 時計の上昇端で掛け金を降ろされるすべての制御および住所
·データ・バスのための二重データ転送速度の建築;
- 時計サイクルごとの2データ・アクセス
·差動クロックの入力（CK_t、CK_c）
·二方向の差動データ ストロボ（DQS_t、DQS_c）
- 源二方向の差動データ ストロボ（DQS_t、DQS_c）に一直線に並ぶ同期データ トランザクション
·DMIピン サポートはのための覆うデータおよびDBIdcの機能性を書く
·プログラム可能なRL （読まれた潜伏）およびWL （潜伏を書きなさい）
·破烈の長さ:16 （デフォルト）、32および大急ぎで
- 忙しいモードは夫人によって可能にされる
·自動車は新たになり、自己は支えられて新たになる
·すべての銀行自動車は新たになるために銀行自動車1台あたりに指示されて支えられて新たになり、
·自動TCSR （温度によって償われる自己は新たになる）
·銀行マスクおよび区分のマスクによるPASR （部分的な配列の自己は新たになる）
·背景ZQの口径測定
| 部品番号。
| 洞穴。
| Org。
| Vol.
| 速度
| 力
| パッケージ
| プロダクト状態
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNBUUMLHR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 200 | 大量生産 |
| H9HKNNNBTUMUAR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
| H9HKNNNBTUMUBR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
| H9HKNNNDGUMUAR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
| H9HKNNNDGUMUBR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
| H9HKNNNCTUMUAR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
| H9HKNNNCTUMUBR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
