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シングルチャネルポテンシオスタット/ガルバノスタットEIS付きモデルCS350Pro は、DDS任意関数発生器、ポテンシオスタット/ガルバノスタット、FRAで構成されています。内蔵のデュアル24ビットデルタシグマADコンバータの助けを借りて、優れた安定性と高い電位（1mV）と電流（1pA）の分解能を実現します。40以上の電気化学的手法により、CS350proは腐食、エネルギー、材料、分析電気化学の分野で広く応用されています。
CS350Proは、従来のシングルチャネル電気化学ワークステーションをアップグレードしたもので、優れた安定性と精度、高度なハードウェア、および完全な機能のソフトウェアを備えています。EIS周波数は最大5MHzです。
アプリケーション
-エネルギー材料（リチウムイオン電池、太陽電池、燃料電池、スーパーキャパシタなど）;
-電気合成、電気めっき（電気めっき）、陽極酸化、電解の反応メカニズム;
-金属腐食; 腐食抑制剤、コーティング、陰極防食の効率;
-電気触媒（HER、OER、ORR、CO2RR、NRR、水分解）。
| 仕様 | |
| 2、3、または4電極システムをサポート | |
| 電位制御範囲：±10V | 最大電流：±2A |
| 電位制御精度：0.1％×フルレンジ±1mV | 電流制御精度：0.1％×フルレンジ |
| 電位分解能：1μV | 電流感度：1pA |
| 立ち上がり時間：<1μs（<10mA）、<10μs（<2A） | 参照電極入力インピーダンス：1013W||5pF |
| 電流範囲：200pA〜2A、11レンジ | 電位範囲：±200mV、±2.5V、±5V、±10V、4レンジ |
| コンプライアンス電圧：±30V | CVおよびLSVスキャン速度：0.001mV〜10kV/s |
| CAおよびCCパルス幅：0.0001〜65,000s | スキャン中の電流増分：1mA@1A/ms |
| スキャン中の電位増分：0.02mV @1V/mS | SWV周波数：0.001〜100 kHz |
| DPVおよびNPVパルス幅：0.001〜100s | ADデータ取得：16bit@1 MHz、20bit@1 kHz |
| DA分解能：20bit | CVの最小電位増分：0.02mV |
| 電流/電位範囲設定：自動/手動 | ローパスフィルタ：7桁をカバー |
| グラウンドモード：フローティング/アース、ZRAをサポート | インターフェース：イーサネット＆USB |
| オペレーティングシステム：Windows 10/11 | 電源：90〜240V AC 50/60Hz |
| 重量/寸法：6.5kg、36 x 30 x16 cm | |
| EIS（電気化学インピーダンス分光法） | |
| 信号発生器 | |
| 周波数範囲：10μHz〜5MHz | 信号分解能：0.1mV RMS |
| 周波数精度：0.1％ | AC振幅：1mV〜2500mV |
| DCバイアス：-10〜+10V | 出力インピーダンス：50Ω |
| 波形：正弦波、三角波、矩形波 | 波形歪み：<1％ |
| スキャンモード：対数/線形、増加/減少 | |
| 信号アナライザー | |
| 積分時間：最小：10msまたはサイクルの最長時間 | 最大：106サイクルまたは105s |
| 測定遅延：0〜105s | |
| DCオフセット補償 | |
| 電位自動補償範囲：-10V〜+10V | 電流補償範囲：-2A〜+2A |
| 帯域幅：8桁の周波数範囲、自動および手動設定 | |
技術 - CS350pro
安定化分極:
開放回路電位（OCP）、ポテンシオスタティック（I-T曲線）、ガルバノスタティック、ポテンシオダイナミック（ターフェルプロット）、ガルバノダイナミック（DGP）
過渡分極:
マルチ電位ステップ、マルチ電流ステップ、電位階段ステップ（VSTEP）、ガルバニック階段ステップ（ISTEP）
クロノ法：
クロノポテンシオメトリー（CP）、クロノアンペロメトリー（CA）、クロノクーロメトリー（CC）
ボルタンメトリー:
リニアスイープボルタンメトリー（LSV）、サイクリックボルタンメトリー（CV）、階段ボルタンメトリー（SCV）、スクエアウェーブボルタンメトリー（SWV）、微分パルスボルタンメトリー（DPV）、ノーマルパルスボルタンメトリー（NPV）、微分ノーマルパルスボルタンメトリー（DNPV）、ACボルタンメトリー（ACV）、2次高調波ACボルタンメトリー（SHACV）、フーリエ変換ACボルタンメトリー（FTACV）
電気化学インピーダンス分光法:
ポテンシオスタティックEIS（ナイキスト、ボード）、ガルバノスタティックEIS、ポテンシオスタティックEIS（オプションの周波数）、ガルバノスタティックEIS（オプションの周波数）、モット・ショットキー、ポテンシオスタティックEIS vs.時間（単一周波数）、ガルバノスタティックEIS vs.時間（単一周波数）
腐食測定:
サイクリック分極曲線（CPP）、リニア分極曲線（LPR）、電気化学的ポテンシオキネティック再活性化（EPR）、電気化学的ノイズ（EN）、ゼロ抵抗アンメーター（ZRA）
バッテリーテスト：
バッテリーの充電と放電、ガルバノスタティック充電と放電（GCD）、ポテンシオスタティック充電と放電（PCD）、ポテンシオスタティック間欠滴定法（PITT）、ガルバノスタティック間欠滴定法（GITT）
アンペロメトリック:
微分パルスアンペロメトリー（DPA）、ダブル微分パルスアンペロメトリー（DDPA）、トリプルパルスアンペロメトリー（TPA）、統合パルスアンペロメトリック検出（IPAD）
ストリッピングボルタンメトリー：
ポテンシオスタティックストリッピング、リニアストリッピング、階段ストリッピング、スクエアウェーブストリッピング、微分パルスボルタンメトリーストリッピング、ノーマルパルスボルタンメトリーストリッピング、微分ノーマルパルスボルタンメトリーストリッピング
拡張機能：
データロガー、電気化学的ストリッピング/堆積、クーロメトリーによるバルク電解（BE）、Rs測定
