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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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High Power MOSFET
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高い発電60V MOSFET FDI030N06のN-Channel力193A 3.2mΩ
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水晶電子部品
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電子ダイオードおよびトランジスター
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マイクロ制御回路単位MCU
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Fpcの適用範囲が広いプリント回路
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信号力のリレー
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SMDのディップ スイッチ
[50]
開発者用具
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企業との接触
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
シティ：
shenzhen
国/地域：
china
連絡窓口：
Mrpeter
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企業との接触
高い発電60V MOSFET FDI030N06のN-Channel力193A 3.2mΩ
製品の詳細
高い発電MOSFET FDI030N06のN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 60V、193A、3.2mΩ 高い発電MOSFET FDI030N06のN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 60V、193A、3.2mΩ [だれ私達があるか。] 太陽光線...
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商品のタグ：
4.5kV
7.5kV
パワートランジスタ 2n3055
