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限られる太陽光線の電子工学（香港）

シティ：shenzhen

国/地域：china

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BSS138LT1G Onsemi Mosfet TRANS N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

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型式番号 :BSS138LT1G

原産地 :中国

最低順序量 :パッケージQty

包装の細部 :テープおよび巻き枠

受渡し時間 :2週

支払の言葉 :T/T

供給の能力 :1000+

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製品の説明を表示

BSS138LT1G ONsemi TRANS MOSFET N-CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

オン・セミコンダクターMOSFETは強化モードで作動するNチャネルMOSFETのトランジスターである。その最高の電力損失は225 MWである。プロダクトの最高の下水管の源の電圧は50ボルトであり、ゲート源電圧は±20 V.である。このMOSFETは-55°Cに150°C.の実用温度範囲を備えている。

特徴および利点:
•低い境界の電圧（VGS （Th）:0.85 V-1.5 V）はそれを低電圧の適用にとって理想的にさせる
•ミニチュアSOT-23表面の台紙のパッケージは板スペースを節約する
•独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のためのBVSSの接頭辞;AEC-Q101は可能なPPAP修飾し、
•自由なこれらの装置はPbなし、ハロゲンFree/BFRで、迎合的なRoHSである

適用:
•DC-DCのコンバーター
•コンピュータのような携帯用および電池式プロダクトの力管理
•プリンター
•PCMCIAカード
•細胞およびコードレス電話。

プロダクト技術仕様

EU RoHS	迎合的
ECCN （米国）	EAR99
部分の状態	活動的
HTS	8541.21.00.95
自動車	いいえ
PPAP	いいえ
製品カテゴリ	力MOSFET
構成	単一
チャネルモード	強化
チャネルタイプ	N
破片ごとの要素の数	1
最高の下水管の源の電圧（v）	50
最高のゲート源電圧（v）	±20
最高のゲートの境界の電圧（v）	1.5
作動の接合部温度（°C）	-55から150
最高の連続的な下水管現在の（a）	0.2
最高のゲートの源の漏出流れ（nA）	100
最高IDSS （uA）	0.5
最高の下水管の源の抵抗（MOhm）	3500@5V
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF）	40@25V
典型的な逆の移動キャパシタンス@ Vds （pF）	3.5
最低のゲートの境界の電圧（v）	0.85
典型的な出力キャパシタンス（pF）	12
最高の電力損失（MW）	225
典型的なTurn-Off遅れ時間（ns）	20 （最高）
典型的なTurn-On遅れ時間（ns）	20 （最高）
最低の実用温度（°C）	-55
最高使用可能温度（°C）	150
包装	テープおよび巻き枠
最高の肯定的なゲート源電圧（v）	20
脈打つ最高は流れ@ TC=25°Cを流出させる（a）	0.8
典型的なゲートのプラトーの電圧（v）	1.9
ピン・カウント	3
標準パッケージの名前	SOT
製造者のパッケージ	SOT-23
土台	表面の台紙
パッケージの高さ	0.94
パッケージの長さ	2.9
パッケージの幅	1.3
PCBは変わった	3
鉛の形	カモメ翼

電気信号を増幅し、そのの間でオン・セミコンダクターのBSS138LT1G力MOSFETの助けによって転換しなさい。その最高の電力損失は225 MWである。安全な配達を保障し、配達の後でこの部品の速い土台を可能にすることを、郵送物の間に包むテープおよび巻き枠で包まれる。このMOSFETのトランジスターは-55 °Cから150 °C.の実用温度範囲を備えている。この装置はtmosの技術を利用する。このNチャネルMOSFETのトランジスターは強化モードで作動する。

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