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4 年
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| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| 自動車 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 製品カテゴリ | 力MOSFET |
| 材料 | Si |
| 構成 | 単一のクォードの下水管の三重の源 |
| 加工技術 | HEXFET |
| チャネル モード | 強化 |
| チャネル タイプ | P |
| 破片ごとの要素の数 | 1 |
| 最高の下水管の源の電圧（v） | 30 |
| 最高のゲート源電圧（v） | ±20 |
| 最高の連続的な下水管現在の（a） | 21 |
| 最高の下水管の源の抵抗（MOhm） | 4.6@10V |
| 典型的なゲート充満@ Vgs （NC） | 58@4.5V|110@10V |
| 典型的なゲート充満@ 10V （NC） | 110 |
| 典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds （pF） | 5250@15V |
| 最高の電力損失（MW） | 3100 |
| 典型的な落下時間（ns） | 70 |
| 典型的な上昇時間（ns） | 47 |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間（ns） | 65 |
| 典型的なTurn-On遅れ時間（ns） | 25 |
| 最低の実用温度（°C） | -55 |
| 最高使用可能温度（°C） | 150 |
| 包装 | テープおよび巻き枠 |
| ピン・カウント | 8 |
| 標準パッケージの名前 | QFN |
| 製造者のパッケージ | PQFN EP |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 0.95 （最高） |
| パッケージの長さ | 5 |
| パッケージの幅 | 6 |
| PCBは変わった | 8 |
| 鉛の形 | 鉛無し |