限られる太陽光線の電子工学(香港)

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BSC123N08NS3Gの高い発電MOSFET N CH 80V 11A自動車8 Pin TDSON EP

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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BSC123N08NS3Gの高い発電MOSFET N CH 80V 11A自動車8 Pin TDSON EP

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型式番号 :BSC123N08NS3G
原産地 :中国
MPN :BSC123N08NS3G
MFR :Infineon
部門 :MOSFET
サイズ :1*5.15*5.9mm
最低順序量 :パッケージQty
包装の細部 :テープおよび巻き枠
受渡し時間 :2週
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1000+
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BSC123N08NS3G Infineon TRANS MOSFET N-CH 80V 11A自動車8 Pin TDSON EP

プロダクト技術仕様

EU RoHS 免除と迎合的
ECCN (米国) EAR99
部分の状態 活動的
SVHC はい
SVHCは境界を超過する はい
自動車 未知数
PPAP 未知数
製品カテゴリ 力MOSFET
加工技術 OptiMOS
構成 単一のクォードの下水管の三重の源
チャネル モード 強化
チャネル タイプ N
破片ごとの要素の数 1
最高の下水管の源の電圧(v) 80
最高のゲート源電圧(v) ±20
最高の連続的な下水管現在の(a) 11
最高の下水管の源の抵抗(MOhm) 12.3@10V
典型的なゲート充満@ Vgs (NC) 19@10V
典型的なゲート充満@ 10V (NC) 19
典型的な入れられたキャパシタンス@ Vds (pF) 1430@40V
最高の電力損失(MW) 2500
典型的な落下時間(ns) 4
典型的な上昇時間(ns) 18
典型的なTurn-Off遅れ時間(ns) 19
典型的なTurn-On遅れ時間(ns) 12
最低の実用温度(°C) -55
最高使用可能温度(°C) 150
ピン・カウント 8
標準パッケージの名前 息子
製造者のパッケージ TDSON EP
土台 表面の台紙
パッケージの高さ 1
パッケージの長さ 5.15
パッケージの幅 5.9
PCBは変わった 8
鉛の形 鉛無し
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