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Shikun Electronics Co., Ltd

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：MrRock lin

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IMZC120R012M2HXKSA1

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モデル番号 :IMZC120R012M2HXKSA1

製造者 :インフィニオン・テクノロジーズ

記述 :IMZC120R012M2HXKSA1

供給者のデバイスパッケージ :PG-TO247-4-17

シリーズ :CoolSiC™

FETタイプ :Nチャンネル

テクノロジー :SiC (シリコン・カービッド・ジャンクション・トランジスタ)

流出電圧から源電圧 (Vdss) :1200V

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :129A （Tc）

駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :15V、18V

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :12mOhm @ 57A, 18V

Vgs(th) (最大) @ Id :5.1V @ 17.8mA

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :124 nC @ 18 V

Vgs (最大) :+23V、-7V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :4050 pF @ 800 V

電力損失（最高） :480W (Tc)

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IMZC120R012M2HXKSA1-データシート

典型的な用途

- 切り替え損失は低い

- T までの過負荷操作_vj= 200°C

- 短回路耐久時間 2 μs

- 頑丈なボディダイオード

- 熱性能向上のためのXT接続技術

IMZC120R012M2Hは,インフィニオン・テクノロジーズの1200V,12mΩ Nチャネルシリコンカービッド (SiC) MOSFETで,高効率,高電力密度のアプリケーション用に設計されている.

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