メンター・パート# :EMB53T2R
製造者 :ROHM 半導体
記述 :PNP+PNPデジタルトランジスタ (WITH)
ストック :8000
製品カテゴリー :トランジスター- (BJT)両極-前偏りのある配列
電流 - コレクター (Ic) (最大) :100mA
電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA (ICBO)
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :100 @ 5mA, 10V
頻度 - 移行 :250MHz
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :SOT-563,SOT-666
パワー - マックス :150mW
製品の状況 :アクティブ
抵抗 - ベース (R1) :4kOhms
供給者のデバイスパッケージ :EMT6
トランジスタタイプ :2 PNP バイアス (ダブル)
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :150mV @ 500μA, 5mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V
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