4N37電子ICの破片の標準的な単一チャネルのすくいオプトカプラー

標準的な提供（熱い販売法）

業界標準の単一チャネル6 Pinのすくいオプトカプラー

特徴

•共通の論理家族が付いているインターフェイス

•入出力カップリング キャパシタンス < 0="">

•業界標準の二重ライン6ピン パッケージ

•TRIOS®による分野効果の馬小屋

•5300 VRMSの分離テスト電圧

•保険業者の実験室ファイル#E52744

•選択1と利用できるVDE #0884の承認

適用

•AC本管の検出

•Reedのリレー運転

•モード電源のフィードバックを転換して下さい

•リング検出に電話をかけて下さい

•論理の地上の分離

•高周波音の拒絶の論理のカップリング 

記述

このデータ用紙はVishayの業界標準の単一チャネルのフォトトランジスターのカプラーの5つの系列を示します。これらの家族は4N25/26/27/28タイプ、4N35/36/37/38カプラー、H11A1/A2/A3/A4/A5、MCT2/2EおよびMCT270/271/272/273/274/275/276/277装置を含んでいます。各オプトカプラーはガリウム砒素赤外線LEDおよびケイ素NPNのフォトトランジスターから成っています。

これらのカプラーは5300ボルト_RMSの分離テスト電圧に従うためにリストされている保険業者の実験室(UL)です。この分離の性能はVishayの倍の鋳造物の分離の製造工程によって堪能です。VDE 0884の部分的な排出の分離の指定への承諾は選択1.の発注によってこれらの家族のために利用できます。

フォトトランジスターの利益安定性は、高い分離の電圧の前でフォトトランジスターの基質の透明なlOnの盾（トリオ）の®を組み込むことによって、保証されます。商業プラスチック フォトトランジスター オプトカプラーのために利用できる最も高い分離の性能のこれらの分離プロセスそしてVishay IS09001の品質プログラムの結果。

装置は表面取り付けのために適した鉛によって形作られる構成で利用でき、テープで、または標準的な管の輸送箱で利用でき巻き取ります。

最高の評価T_A =25°C

エミッター

逆電圧.......................................................................................... 6.0ボルト

前方流れ........................................................................................ 60 mA

サージ電流（t≤10 µs） ...............................................................................2.5 A

電力損失...................................................................................100 MW

探知器

コレクター エミッターの絶縁破壊電圧...........................................................70ボルト

エミッター基盤の絶縁破壊電圧................................................................7.0 V

コレクター流れ....................................................................................... 50 mA

コレクター流れ（t <1>

電力損失...................................................................................150 MW

パッケージ

分離テスト電圧..........................................................................5300ボルト_RMS

表面漏れ.............................................................................................. ≥7.0 mm

整理............................................................................................. ≥7.0 mm

エミッターと探知器間の分離の厚さ...............................≥0.4 mm

DIN IEC 112/VDE0303、パート1 .................. 175ごとの比較追跡索引

分離の抵抗

   V_IO =500 V、T_A =25°C ............................................................................... 10¹² Ω

   V_IO =500 V、T_A =100°C ............................................................................10¹¹ Ω

保管温度................................................................– 55°Cへの+150°C

実用温度............................................................ – 55°Cへの+100°C

接合部温度................................................................................100°C

はんだ付けする温度（最高。10 sのすくいのはんだ付けすること:

   着席の平面≥1.5 mm） ...................................................... 260°Cへの間隔