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Anterwell Technology Ltd.
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SSS7N60B 600V NチャネルMOSFET力mosfet ICの電界効果トランジスタ
SSS7N60B 600V NチャネルMOSFET力mosfet ICの電界効果トランジスタ
  • SSS7N60B 600V NチャネルMOSFET力mosfet ICの電界効果トランジスタ
製品の詳細
SSS7N60B 600V NチャネルMOSFET力mosfet ICの電界効果トランジスタ 特徴 •7.0A、600V、RDS （） = 1.2Ω @VGS = 10ボルト •低いゲート充満（典型的な38 NC） •低いCrss （典型的な23 pF） •速い切換え •テストされる100%のなだれ ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
igbtゲート電圧 n チャンネル パワー モスフェット バイポーラ トランジスタ

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