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BCX56力Mosfet ICのトランジスターNPNケイ素の平面の中型力トランジスター
BCX56力Mosfet ICのトランジスターNPNケイ素の平面の中型力トランジスター
  • BCX56力Mosfet ICのトランジスターNPNケイ素の平面の中型力トランジスター
製品の詳細
SOT89 NPNのケイ素の平面の中型力トランジスターBCX56 記述 コレクター基盤の電圧:100V コレクター エミッターの電圧:80V エミッター基盤の電圧:5V ピーク脈拍の流れ:2A 連続的なコレクター流れ:1A Tamb=25°Cの電力損失:1W 操作および保管温度の範囲:+150°Cへ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
シリコンnpn電源トランジスタ イグト モスフェット mosfetのigbt

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