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特徴
•電源電圧範囲= 3.0 Vdc〜18 Vdc
すべての出力バッファ
•2つの低電力TTL負荷または1つの低電力ショットキTTL負荷を定格温度範囲で駆動することができます。
•MC14011BおよびMC14081Bのトリプルダイオード保護を除く、すべての入力でのダブルダイオード保護
•対応するCD4000シリーズBサフィックスデバイスのピン置換え
•鉛フリーパッケージが利用可能です*
Bシリーズ論理ゲートは、単一のモノリシック構造(相補型MOS)のPチャネルとNチャネルのエンハンスメントモードデバイスで構成されています。 その主な用途は、低消費電力および/または高ノイズ耐性が望まれる場合です。
最大定格(VSSを基準とする電圧)
シンボル | パラメータ | 値 | 単位 |
VDD | DC電源電圧範囲 | -0.5〜+ 18.0 | V |
Vin、Vout | 入力または出力電圧範囲(DCまたは過渡) | -0.5〜VDD + 0.5 | V |
Iin、Iout | ピン当たりの入力電流または出力電流(DCまたは過渡電流) | ±10 | mA |
PD | パッケージごとの消費電力 | 500 | mWTA |
TA | 周囲温度範囲 | -55〜+125 | °C |
Tstg | 保管温度範囲 | -65〜+150 | °C |
TL | リード温度(8秒間のはんだ付け) | 260 | °C |
19-217 / S2C-FM2P1VY / 3T | 6000 | 夕暮れ | 新しい | SMD |
1B22AN | 6000 | 広告 | 新しい | 浸漬 |
1N4758A-TAP | 10000 | ヴィシェイ | 新しい | DO-41 |
1N4936GP-E3 / 73 | 6000 | ヴィシェイ | 新しい | DO-41 |
1N5062 | 5000 | PHI | 新しい | SOD-57 |
1N5062-E3 / 73 | 8000 | ヴィシェイ | 新しい | DO-15 |
1N5359BRLG | 8000 | に | 新しい | CASE17 |
1N5401RLG | 8000 | に | 新しい | DO-201 |
1N5819HW-7-F | 9000 | DIODES | 新しい | SOD-123 |
1N5821RLG | 7500 | に | 新しい | DO-201 |
1N914BTR | 10000 | FSC | 新しい | DO-35 |
1SMA5923BT3G | 10000 | に | 新しい | DO-214 |
1SMB5930BT3G | 5000 | に | 新しい | SMB |
1SMB5956BT3G | 5000 | に | 新しい | SMB |
2016L030DR | 7500 | リトルフス | 新しい | SMD |
20279-001E-01 | 7500 | I-PEX | 新しい | SMD |
20CL36 | 5000 | FAIRCHILD | 新しい | TO-263 |
23LC1024-I / SN | 5000 | マイクロチップ | 新しい | SOP8 |
2450AT18B100E | 5000 | ジョーンズン | 新しい | SMD |
2450BM15A0002E | 5000 | ジョーンズン | 新しい | SMD |
24AA256T-I / SN | 5000 | マイクロチップ | 新しい | SOP8 |