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TDA2050
32Wハイファイ可聴周波電力増幅器
• 高出力力(50W音楽力IEC 268.3の規則)
•高い操作の供給電圧(50V)
•供給操作を選抜するか、または裂いて下さい
•非常に低いゆがみ
•短絡の保護(GNDに)
•熱操業停止
記述
TDA 2050年は可聴周波クラスABのオーディオ・アンプとして使用のために意図されているPentawattのパッケージの単一集積回路です。高い発電の機能のおかげでTDA2050 8ohm負荷に4オームの負荷に35W本当rmsの力@ THD = 10%、対= ±18V、f = 1KHzと32Wまで提供@ THD = 10%、対= ±22V、f = 1KHzできます。さらに、TDA 2050年はVS= 22.5V、f = 1KHzで1秒にわたる4オームの負荷に50W音楽力を普通提供します。
高い発電および非常に低く倍音およびクロスオーバーのゆがみは(THD = 0.05%のtyp、@対= ±22V、PO = 15Wへの0.1、RL=8ohm、f = 100Hzへの15KHz)装置をハイファイおよび一流のテレビのために最も適したようにします。
絶対最高評価
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
---|---|---|---|
VS | 供給電圧 | ±25 | V |
VI | 入力電圧 | VS | |
VI | 差動入力電圧 | ±15 | V |
IO | 出力ピーク電流(内部的に限られる) | 5 | A |
Pの幼児 | 電力損失Tの場合= 75°C | 25 | W |
Tstg、Tj | 貯蔵および接合部温度 | -40から150 | °C |
テストおよび適用回路
ピン接続(平面図)
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
SGL-0622Z | 15818 | RFMD | 16+ | QFN |
SZM-2066Z | 1235 | RFMD | 15+ | QFN |
SZM-2166Z | 1238 | RFMD | 16+ | QFN |
SZM-3066Z | 1316 | RFMD | 16+ | QFN |
RT8010PQW | 12272 | RICHTEK | 10+ | QFN |
RT8015AGQW | 17386 | RICHTEK | 16+ | QFN |
RT8121GQW | 35732 | RICHTEK | 16+ | QFN |
RT8152DGQW | 10040 | RICHTEK | 13+ | QFN |
RT8205LZQW | 36016 | RICHTEK | 13+ | QFN |
RT8207GQW | 7404 | RICHTEK | 16+ | QFN |
RT8237EZQW | 10324 | RICHTEK | 14+ | QFN |
RT8561BGQW | 6688 | RICHTEK | 10+ | QFN |
RT8857GQW | 16764 | RICHTEK | 16+ | QFN |
RT8859MZQW | 14748 | RICHTEK | 16+ | QFN |
RT9026GQW | 18488 | RICHTEK | 15+ | QFN |
RTL8101E-GR | 24744 | RICNIEK | 12+ | QFN |
SE2603L-R | 10060 | SIGE | 12+ | QFN |
SI2173-A40-GM | 2795 | ケイ素 | 10+ | QFN |
SI32260-C-FM1 | 2048年 | ケイ素 | 16+ | QFN |
SI3239-C-FMR | 8196 | ケイ素 | 16+ | QFN |
SI3239-E-ZM3 | 2798 | ケイ素 | 12+ | QFN |
SII5723CNU | 1706 | ケイ素 | 14+ | QFN |
SI3402-A-GMR | 2645 | SILICONLA | 15+ | QFN |
SI7005-B-GM1 | 1481 | SILICONLA | 16+ | QFN |
SM4108 | 1916年 | SILICONMI | 14+ | QFN |
SIT9102AI-183N33E1 | 4426 | SITIME | 10+ | QFN |
SE2593A20-R | 2540 | SKYWORKS | 14+ | QFN |
SKY13317-373LF | 7300 | SKYWORKS | 15+ | QFN |
SKY77162 | 15679 | SKYWORKS | 16+ | QFN |
USB2514B-AEZC | 8448 | SMSC | 16+ | QFN |