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4N25M電子ICの破片の一般目的のフォトトランジスター オプトカプラー

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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4N25M電子ICの破片の一般目的のフォトトランジスター オプトカプラー

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型式番号 :4N25M
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :6900pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
保存温度 :-55 から +150 °C
動作温度 :-55から+100 °C
波のはんだの温度 :10秒の°Cのための260
コレクター エミッターの電圧 :30 ボルト
コレクター基盤の電圧 :70ボルト
エミッター コレクターの電圧 :7 ボルト
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標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
SI1024X-T1-E3 68000 VISHAY 14+ SOT-563
SI2301BDS-T1-E3 69000 VISHAY 08+ SOT-23
SI2323CDS-T1-E3 17538 VISHAY 12+ SOT-23
SI2333DS-T1-E3 12284 VISHAY 16+ SOT-23
SI4133-D-GTR 1711 ケイ素 16+ TSSOP-24
SI4425DDY-T1-E3 9073 VISHAY 1609+ SOP-8
SI4425DDY-T1-GE3 9144 VISHAY 16+ SOP-8
SI4435BDY-T1-E3 42000 VISHAY 16+ SOP-8
SI4435DDY-T1-GE3 24000 VISHAY 16+ SOP-8
SI4435DYTRPBF 11913 IR 15+ SOP-8
SI4447ADY-T1-GE3 19439 VISHAY 16+ SOP-8
SI4720-B20-GMR 5515 ケイ素 08+ QFN20
SI53301-B-GMR 3289 ケイ素 16+ QFN
SI5511DC-T1-E3 12355 VISHAY 14+ SOP-8
SI-60001-F 8360 ベル 14+ RJ45
SI7336ADP-T1-E3 10351 VISHAY 15+ QFN-8
SI7846DP-T1-E3 3945 VISHAY 11+ QFN-8
SI7884BDP-T1-E3 6509 VISHAY 09+ QFN-8
SI-8050W-TL 8568 SANKEN 13+ SOP-8
SI8431AB-D-ISR 3807 ケイ素 15+ SOP-16
SI8661BD 2686 ケイ素 14+ SOP-16
SI9435BDY-T1-E3 6746 VISHAY 12+ SOP-8
SI9945BDY-T1 4760 VISHAY 16+ SOP-8
SI9978DW 7200 ケイ素 15+ SOP-24
SIM800A 3248 SIMCOM 16+ GPRS
SIM800C 2939 SIMCOM 14+ GPRS
SIM900 2497 SIMCOM 16+ GPRS
SIM900A 2956 SIMCOM 16+ GPRS
SIM908 823 SIMCOM 16+ GPRS
SK3G08 5013 SEMIKRON 16+ DO-27

 

 

4N25M、4N26M、4N27M、4N28M、4N35M、4N36M、4N37M、H11A1M、H11A2M、H11A3M、H11A4M、H11A5M

一般目的6 Pinフォトトランジスター オプトカプラー

 

特徴

確認される■ UL (ファイル# E90700の容積2)

確認される■ VDE (ファイル# 102497) –加えて下さい選択V (例えば、4N25VM)を

 

適用

■の電源の調整装置

■のデジタル論理の入力

■マイクロプロセッサ入力

 

記述

一般目的オプトカプラーは6ピン二重インライン パッケージのケイ素のフォトトランジスターを運転するガリウム砒素の赤外線出るダイオードから成っています。

 

絶対最高評価(TA = 25°C他に特に規定がなければ)

記号 変数 価値 単位
総装置
TSTG 保管温度 -55から+150 °C
TOPR 実用温度 -55から+100 °C
TSOL 波のはんだの温度(退潮のはんだのプロフィールについてはページを見て下さい8は) 10秒の間260 °C
PD

総装置電力損失@ TA = 25°C

25°Cの上で軽減して下さい

250 MW
2.94
エミッター
IF DC/Averageは入力電流を進めます 60 mA
VR 逆の入力電圧 6 V
IF(pk) 前方流れ–ピーク(300µsの2%の使用率) 3 A
PD

LEDの電力損失@ TA = 25°C

25°Cの上で軽減して下さい

120 MW
1.41 mW/°C
探知器
VCEO コレクター エミッターの電圧 30 V
VCBO コレクター基盤の電圧 70 V
VECO エミッター コレクターの電圧 7 V
PD

探知器の電力損失@ TA = 25°C

25°Cの上で軽減して下さい

150 MW
1.76 mW/°C

 

機能ブロック ダイヤグラム

4N25M電子ICの破片の一般目的のフォトトランジスター オプトカプラー

 

 

 

 

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