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9 年
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MC14584BDR2Gの電子工学のサーキット ボードのプログラムされた統合された半導体
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| NJM2575F1 | 6533 | JRC | 05+ | SOT23-6 |
| NJM2902M | 76000 | JRC | 16+ | SOP-14 |
| NJM4565D | 62000 | JRC | 16+ | SOP-14 |
| NJM4565M | 78000 | JRC | 13+ | SOP-8 |
| NJM4741D | 5137 | JRC | 13+ | DIP-14 |
| NJM4741M | 6091 | JRC | 16+ | SOP-14 |
| NJW0302G/NJW0281G | 5000 | 16+ | TO-3P | |
| NLCV32T-3R3M-PF | 8000 | TDK | 06+ | SMD |
| NLFC322522T-100K-PF | 12000 | TDK | 08+ | SMD |
| NLFC322522T-2R2M-PF | 20000 | TDK | 08+ | SMD |
| NPCE781LAODX | 2831 | NUVOTON | 10+ | QFP |
| NR6028T4R7M | 79000 | TAIYO | 11+ | SMD |
| NR6045T6R3M | 53000 | TAIYO | 14+ | SMD |
| NRF24L01 | 5018 | 北欧人 | 16+ | QFN20 |
| NRF51822-QFAA | 7026 | 北欧人 | 16+ | QFN48 |
| NSR0230P2T5G | 140000 | 14+ | SOD-923 | |
| NSR0340V2T1G | 21000 | 12+ | SOD-523 | |
| NT5DS16M16CS-6K | 7077 | NANYA | 09+ | TSOP-66 |
| NT5DS64M8CS-5T | 4011 | NANYA | 16+ | TSOP-66 |
| NTD3055L104T4G | 20220 | 16+ | TO-252 | |
| NTD5802NT4G | 19297 | 14+ | TO-252 | |
| NTD5865NLT4G | 60000 | 14+ | TO-252 | |
| NTF3055-100T1G | 16102 | 15+ | SOT-223 | |
| NTF3055L108T1G | 11716 | 15+ | SOT-223 | |
| NTF3055L175T1G | 16173 | 09+ | SOT-223 | |
| NTMD4820NR2G | 15124 | 13+ | SOT-8 | |
| NTR1P02LT1G | 143000 | 05+ | SOT-8 | |
| NTR2101PT1G | 27000 | 07+ | SOT-23 | |
| NTR4501NT1G | 76000 | 15+ | SOT-23 | |
| NTUD3169CZT5G | 11787 | 16+ | SOT-963 |
MC14584B
Schmittの六角形の制動機
MC14584B六角形のSchmittの制動機はMOS P−channelおよび単一の単一構造のN−channelの強化モード装置によって組み立てられます。これらの装置は低い電力の消滅や高いノイズ耐性が望まれる第一次使用を見つけます。MC14584Bは高められたノイズ耐性のための六角形のインバーターがゆっくり変更の波形を「」平方するMC14069UBの代わりに使用されるかもしれません。
特徴
•供給電圧の範囲= 3.0 Vdcから18 Vdc
•評価される温度較差上のLow−power 2つのTTLの負荷かLow−power 1つのショットキーTTLの負荷を運転することができる
•すべての入力の二重ダイオードの保護
•MC14069UBを取り替えるのに使用することができます
•より大きいヒステリシスのため、CD40106BおよびMM74Cl4のためのPin−for−Pinの取り替えである使用MC14106B
•Pb−Freeのパッケージは利用できます
最高の評価（VSSに参照される電圧）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VDD | DCの供給電圧の範囲 | +18.0への−0.5 | V |
| Vinに、V | 入力または出力電圧範囲（DCかトランジェント） | −0.5へのVDD + 0.5 | V |
| Iinに、I | Pinごとの入力または出力電流（DCかトランジェント） | ±10 | mA |
| PD | パッケージ（ノート1） 1個あたりの電力損失、 | 500 | MW |
| TA | 周囲温度の範囲 | +125への−55 | °C |
| Tstg | 保管温度の範囲 | +150への−65 | °C |
| TL | 鉛の温度（8−Secondはんだ付けすること） | 260 | °C |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれません。最高の評価は圧力の評価だけです。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されません。推薦された作動条件の上の圧力への延長露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません。
1. 軽減する温度:
プラスチック「PおよびD/DW」パッケージ:– 65°Cからの125°Cへの7.0 mW/°C
この装置は高く静的な電圧か電界による損傷に対して守るために保護回路部品を含んでいます。但しこのhigh−impedance回路にあらゆる電圧高くより最高の評価される電圧の適用を避けるために、注意は取られなければなりません。適切な処理のために、VおよびVは範囲VSS （VかV） VDDに強いられるべきです。
未使用の入力は適切な論理の電圧レベルに常に結ばれなければなりません（例えば、V SSまたはV DD）。未使用の出力は開いた残っていなければなりません。
