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9 年
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74HC4052;74HCT4052
二重4チャネルのアナログの多重交換装置、デマルチプレクサー
特徴
•−5 Vから+5 Vからの広いアナログ入力の電圧範囲
•低いオン抵抗:
– VCCの− Vの80 Ω （典型的な）EE = 4.5ボルト
– VCCの− Vの70 Ω （典型的な）EE = 6.0ボルト
– VCCの− Vの60 Ω （典型的な）EE = 9.0ボルト
•論理の水平な翻訳:5ボルトの論理が±5 Vのアナログ信号と伝達し合うことを可能にするため
•典型的な「壊れ目はの前の」造られて作ります
•JEDECの標準いいえ7Aに従います
•ESDの保護:
– HBM EIA/JESD22-A114-Bは2000ボルトを超過します
– MM EIA/JESD22-A115-Aは200 V.を超過します。
•−40 °Cから+85 °Cおよび−40 °C +125 °C.にに指定される。
適用
•アナログに多重型になり、多重分離すること
•多重型になり、多重分離するデジタル
•信号のゲートで制御すること。
記述
74HC4052および74HCT4052は高速SiゲートCMOS装置で、HEF4052Bと互換性があるピンです。彼らはJEDECの標準いいえ7Aに従って指定されます。
74HC4052および74HCT4052は二重4チャネルのアナログの多重交換装置ですまたは公有地が付いているデマルチプレクサーは論理を選びます。各多重交換装置は4独立した入力/出力（ピンnY0へのnY3）および共通入出力（ピンnZ）を備えています。共通チャネルの選り抜きロジックスは2つのデジタル選り抜き入力（ピンS0およびS1）を含み、活動的な低速は入ることを可能になります（ピンE）。ピンがピンS0およびS1によってE =低い、4つのスイッチの1つ（低インピーダンス オン州）選ばれる時。ピンがオフ状態高インピーダンスにE =高い、すべてのスイッチある時ピンS0およびS1の独立者。
VCCおよびGNDはデジタル制御の入力（S0、S1およびE）ピンのための供給電圧ピンです。GNDの範囲へのVCCは2.0ボルトから74HC4052のための10.0ボルトおよび4.5ボルトから74HCT4052のための5.5ボルトです。アナログ入力/出力（nY3およびnZへのピンnY0）は肯定的な限界としてVCCと否定的な限界としてVEEの間で振れることができます。V −CCはVEE 10.0のV.を超過しないかもしれません。
デジタル多重交換装置/デマルチプレクサーとして操作のために、VEEはGNDに接続されます（普通ひかれる）。
限界値
絶対最高評価システム（IEC 60134）に従って;電圧はVにEE = GND （地面= 0 V）参照されます;ノート1。
| 記号 | 変数 | 条件 | 最少。 | MAX. | 単位 |
| VCC | 供給電圧 | −0.5 | +11.0 | V | |
| IIK | 入力ダイオード流れ | V私<>I > VCC + 0.5ボルト | − | ±20 | mA |
| ISK | ダイオード流れを転換して下さい | VS<> S > VCC + 0.5ボルト | − | ±20 | mA |
| IS | 流れを転換して下さい | −0.5 V < V="">S < V="">CC + 0.5ボルト | − | ±25 | mA |
| IEE | VEEの流れ | − | ±20 | mA | |
| ICC;IGND | VCCまたはGNDの流れ | − | ±50 | mA | |
| Tのstg | 保管温度 | −65 | +150 | °C | |
| Pの幼児 | 電力損失 | Tのamb = −40 °Cへの+125 °C;ノート | − | 500 | MW |
| PS | スイッチごとの電力損失 | − | 100 | MW |
ノート
1. スイッチ流れがピンnYnで流れるときピンnZからVCCの流れを引くことを避けるためには、二方向スイッチを渡る電圧低下は0.4 V.を超過してはなりません。スイッチ流れがピンnZに流れれば、VCCの流れはピンnYnから流れません。この場合スイッチを渡る電圧低下のための限界がありません、しかしピンnYnおよびnZの電圧はVCCかVEEを超過しないかもしれません。
2. DIP16パッケージのため:70 °Cの上で12 mW/K.と直線に軽減して下さい。
SO16パッケージのため:70 °Cの上で8 mW/K.と直線に軽減して下さい。
SSOP16およびTSSOP16パッケージのため:60 °Cの上で5.5 mW/K.と直線に軽減して下さい。
DHVQFN16パッケージのため:60 °Cの上で4.5 mW/K.と直線に軽減して下さい。
機能図