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74HC20D集積回路の破片は、4つの入れられた否定論履積ゲートICの電子部品二倍になります

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74HC20D集積回路の破片は、4つの入れられた否定論履積ゲートICの電子部品二倍になります

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型式番号 :74HC20D
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :8300pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
伝搬遅延nA、nB、NC、nYへのnD :8 ns
入力キャパシタンス :3.5 pF
パッケージ1個あたりの電力損失キャパシタンス :22 pF
出力機能 :標準
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74HC20D集積回路の破片は、4つの入れられた否定論履積ゲートICの電子部品二倍になります

 

二重4入力否定論履積ゲート74HC/HCT20

 

特徴

•出力機能:標準

•ICCの部門:SSI

 

概説

74HC/HCT20は高速SiゲートCMOS装置で、低い電力ショットキーTTL (LSTTL)と互換性があるピンです。彼らはJEDECの標準いいえ7Aに従って指定されます。74HC/HCT20は4入力否定論履積機能を提供します。

 

即時参考データ

GND = 0ボルト;Tのamb = 25 °C;tr = tf = 6 ns

記号 変数 条件 典型的 単位
HC HCT
tPHL/tPLH 伝搬遅延nA、nB、NC、nYへのnD CL = 15 pF;VCC = 5ボルト 8 13 ns
CI 入力キャパシタンス   3.5 3.5 pF
CPD パッケージ1個あたりの電力損失キャパシタンス ノート1および2 22 17 pF

ノート

1. CPDが動的電力損失(µWのPD)を定めるのに使用されています:

   PD = CPDの× Vの×CC2のfI + ∑ (× CL × VのCC2のfo)ところ:

   fI = MHzの入れられた頻度

   fo = MHzの出力された頻度

   CL = pFの出力された負荷キャパシタンス

   VCC = Vの供給電圧

   ∑ (× CL × VのCC2のfo) =出力の合計

2. HCのために条件はVI = GNDへVCCです

   HCTのために条件はVCCの− 1.5 VへVI = GNDです

 

74HC20D集積回路の破片は、4つの入れられた否定論履積ゲートICの電子部品二倍になります

 

74HC20D集積回路の破片は、4つの入れられた否定論履積ゲートICの電子部品二倍になります

 

74HC20D集積回路の破片は、4つの入れられた否定論履積ゲートICの電子部品二倍になります

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