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74HC04N電子ICは統合された部品のジンクス インバーターを欠きます

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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74HC04N電子ICは統合された部品のジンクス インバーターを欠きます

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型式番号 :74HC04N
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :6900pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
供給電圧 :+7.0ボルトへの−0.5
入力ダイオード流れ :±20 mA
出力ダイオード流れ :±20 mA
出力源か流しの流れ :±25 mA
VCCまたはGNDの流れ :±50 mA
保存温度 :+150 °Cへの−65
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74HC04;74HCT04

六角形のインバーター

 

特徴

•JEDECの標準いいえ8-1Aに従います

•ESDの保護:HBM EIA/JESD22-A114-Aは2000ボルトMM EIA/JESD22-A115-Aを超過します200 V.を超過します。

•−40から+85 °Cおよび−40 +125 °C.にに指定される。

 

記述

74HC/HCT04は高速SiゲートCMOS装置で、低い電力ショットキーTTL (LSTTL)と互換性があるピンです。彼らはJEDECの標準いいえ7Aに従って指定されます。74HC/HCT04は6つの逆になる緩衝を提供します。

 

即時参考データ

GND = 0ボルト;Tamb = 25 °C;tr = tfの≤ 6.0 ns。

記号 変数 条件 典型的 単位
HC04 HCT04
tPHL/tPLH nYへの伝搬遅延nA CL = 15 pF;VCC = 5ボルト 7 8 ns
CI 入力キャパシタンス   3.5 3.5 pF
CPD ゲートごとの電力損失キャパシタンス ノート1および2 21 24 pF

ノート

1. CPDが動的電力損失(µWのPD)を定めるのに使用されています。

   PD = CPDの× Vの×CC2の× fIのN + Σ (× CL × VのCC2のfo)ところ:

   fI = MHzの入れられた頻度;

   fo = MHzの出力された頻度;

   CL = pFの出力された負荷キャパシタンス;

   VCC =ボルトの供給電圧;

   N =合計の負荷切換えの出力;

   Σ (× CL × VのCC2のfo) =出力の合計。

2. 74HC04のため:条件はVI = GNDへVCCです。

   74HCT04のため:条件はVCCの− 1.5 V.へVI = GNDです。

 

Fig.1 Pin構成DIP14、SO14および(T) SSOP14。

74HC04N電子ICは統合された部品のジンクス インバーターを欠きます

 

Fig.2 Pin構成DHVQFN14。                   Fig.3論理記号。

74HC04N電子ICは統合された部品のジンクス インバーターを欠きます            74HC04N電子ICは統合された部品のジンクス インバーターを欠きます

 

Fig.4 IECの論理記号。                Fig.5ロジック・ダイヤグラム(1つのインバーター)。

74HC04N電子ICは統合された部品のジンクス インバーターを欠きます   74HC04N電子ICは統合された部品のジンクス インバーターを欠きます

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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