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元のプログラミングICは256K 32K X 8を5ボルトCmosのフラッシュ・メモリだけAT29C256欠きます
256K （32K Xの8） 5ボルトのフラッシュ・メモリだけAT29C256
特徴
•読み取りアクセス タイムの70 nsは絶食します
•5ボルトにプログラムし直すだけ
•ページ プログラム操作
–単一周期はプログラムし直します（消去およびプログラム）
– 64バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金
•内部プログラム制御およびタイマー
•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護
•速い業務計画周期の時間
–ページ（64バイト）プログラム タイムの10氏
–破片の消去のタイムの10氏
•プログラム検出の終わりのためのデータ投票
•ローパワー消滅
– 50 mAの活動的な流れ
– 300のµA CMOSのスタンバイの流れ
•典型的な持久力> 10,000の周期
•単一5V ± 10%の供給
•CMOSおよびTTLの多用性がある入出力
•商業および産業温度較差
記述
AT29C256は5ボルトだけ内部システム フラッシュのプログラム可能で、消去可能な読み取り専用メモリ（PEROM）です。記憶のその256Kは8ビットにつき32,768ワードとして組織されます。Atmelの進められた不揮発性CMOSの技術と製造されて、装置はちょうど275 MWの電力損失との70 nsにアクセス時間を提供します。装置が選択解除されるとき、CMOSのスタンバイの流れは300以下µAです。装置持久力はどのセクターでも10,000回以上に普通書くことができることそのような物です。
Pin構成
| Pin名前 | 機能 |
| A0 - A14 | 住所 |
| セリウム | 破片は可能になります |
| OE | 出力は可能になります |
| 私達 | 可能になります書いて下さい |
| I/O0 - I/O7 | データ入力/出力 |
| NC | 接続しないで下さい |
| DC | 接続しないで下さい |
PLCCおよびLCCの平面図
注:PLCCのパッケージ ピン1および17は接続しませんあります。
TSOPの平面図のタイプ1
簡単な内部システムreprogrammabilityを可能にするためには、AT29C256はプログラミングのために高い入力電圧が要求しません。5ボルトだけ命令は装置の操作を定めます。装置からのデータを読むことは静的なRAMから読むことに類似しています。AT29C256をプログラムし直すことはページの基礎で行われます;データの64バイトは装置に荷を積まれ、次に同時にプログラムされます。全体の装置の内容は6バイトの使用によって必要ではないが） （プログラムする前の削除がソフトウェアを記述します消すことができます。プログラムし直周期の間に、他の操作のための住所およびデータ・バスを放すデータの住所位置そして64バイトは内部的に掛け金を降ろされます。業務計画周期の開始の後で、装置は自動的にページを消し、次に内部制御のタイマーを使用して掛け金を降ろされたデータをプログラムします。業務計画周期の端はI/O7のデータ投票によって検出することができます。一度業務計画周期の端はずっと読まれるのための新しいアクセス、プログラム検出されていますまたは破片の消去は始まることができます。
ブロック ダイヤグラム
絶対最高のRatings*
バイアスの下の温度................................-55°Cへの+125°C
保管温度.....................................-65°Cへの+150°C
すべての入力電圧（を含むNCピン）
地面................................... - 0.6Vへの+6.25Vに関して
すべての出力電圧
VCCへの地面............................. - 0.6Vに関して+ 0.6V
OEの電圧
地面................................... - 0.6Vへの+13.5Vに関して
*NOTICE:「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越える圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれません。これは評価するただ圧力であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されません。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません。