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10 年
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ケイ素のより湿気があるダイオードで造られる高圧一般目的のnpnのトランジスター2SD1290
記述
·TO-3PNのパッケージを使って
·作り付けのダンパーのダイオード
·高圧、高い信頼性
·安全な操作の広域
適用
·色TVの横の偏向のため
出力塗布
| PIN | 記述 |
| 1 | 基盤 |
| 2 |
コレクター;基盤の取付けに接続される |
| 3 | エミッター |
| 記号 | 変数 | 条件 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | エミッターを開けて下さい | 1500 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | コレクターを開けて下さい | 5 | V |
| IC | コレクター流れ（DC） | 3 | A | |
| ICM | コレクター流れ（脈拍） | 10 | A | |
| PC | コレクターの電力損失 | TC=25℃ | 50 | W |
| Tj | 接合部温度 | 130 | ℃ | |
| Tのstg | 保管温度 | -55~130 | ℃ |
| 記号 | 変数 | 条件 | 最少。 | TYP. | MAX. | 単位 |
| V（BR）EBO | エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | すなわち=500mA;IC=0 | 5 | V | ||
| VCEsat | コレクター エミッターの飽和電圧 | IC=2A;IB=0.75A | 5.0 | V | ||
| VBEsat | 基盤エミッターの飽和電圧 | IC=2A;IB=0.75A | 1.5 | V | ||
| ICBO | コレクタ遮断電流 |
VCB=750V;すなわち=0 VCB=1500V;すなわち=0 |
50 1 |
μA mA |
||
| hFE | DCの現在の利益 | IC=2A;VCE=10V | 3 | 8 | ||
| ts | 貯蔵時間 | IC=2A ILeak=0.75A、LB=5μH | 3 | 7 | μs | |
| tf | 落下時間 | 1 | μs | |||
| VF | ダイオード前方電圧 | IF=-4A、IB=0 | 2.2 | V |
パッケージの輪郭