PIC12F675-I/SN電子ICはマイクロチップおよび集積回路を欠きます

標準的な提供（熱い販売法）

PIC12F629/675

8 Pinのフラッシュ ベースの8ビットCMOSのマイクロ制御回路

高性能RISC CPU:

•学ぶ35の指示だけ

 -すべての単一周期の指示は枝を除外します

•規定回転数:

 - DC – 20のMHzの発振器/クロックの入力

 - DC – 200 nsの命令サイクル

•割り込み機能

•8レベルの深いハードウェア積み重ね

•直接、間接、および相対的なアドレッシング・モード

特別なマイクロ制御回路特徴:

•内部および外的な発振器の選択

 -精密±1%に目盛りが付いている内部4つのMHzの発振器の工場

 -水晶および共鳴器のための外的な発振器サポート

 -睡眠、典型的な3.0Vから目覚し5つのμs

•パワー セービングの休眠モード

•広い操作電圧範囲

 – 2.0Vへの5.5V

•産業および延長温度較差

•調整(POR)パワーでローパワー

•パワーアップ タイマー（PWRT）および発振器の起動のタイマー（OST）

•節電は(BOD)を検出します

•信頼できる操作のための独立した発振器が付いているウォッチドッグ タイマー（WDT）

•多重型にされたMCLR/Input Pin

•割り込みPin変更

•個々のプログラム可能で弱い懸垂

•プログラム可能なコード保護

•高い持久力Flash/EEPROMの細胞

 - 100,000は抜け目がない持久力を書きます

 - 1,000,000はEEPROMの持久力を書きます

 -フラッシュ/データEEPROM保持:> 40年

ローパワー特徴:

•スタンバイの流れ:-典型的な1 nA @ 2.0V

•動作電流:

 - 8.5 μA @ 32のkHz、典型的な2.0V

 - 100 μA @ 1つのMHz、典型的な2.0V

•ウォッチドッグ タイマーの流れ

 -典型的な300 nA @ 2.0V

•Timer1発振器の流れ:

 - 4 μA @ 32のkHz、典型的な2.0V

周辺特徴:

•個々の方向制御を用いる6つの入力/出力ピン

•直接LEDドライブのための高い現在の流し/源

•アナログのコンパレーター モジュール下記のものの:

 - 1つのアナログのコンパレーター

 -オン破片のコンパレーターの電圧参照の(CVREF)プログラム可能なモジュール

 -装置入力から多重型になるプログラム可能な入力

 -コンパレーターの出力は外的に入手しやすいです

•アナログ・ディジタル変換器モジュール（PIC12F675）:

 - 10ビット決断

 -プログラム可能な4チャネルの入力

 -電圧基準入力

•Timer0:8ビット プログラム可能なPrescalerと8ビット タイマー/反対

•高められたTimer1:

 - prescalerと16ビットのタイマー/反対

 -外部ゲートの入力モード

 - INTOSCモードが選んだらTimer1発振器としてLPモードでOSC1およびOSC2を使用する選択

•2つのピンでの回路内連続ProgrammingTM （ICSPTM）

絶対最高評価の†

+125°Cへのバイアス................................................................................... -40の下の周囲温度

保管温度................................................................................................ -65°Cへの+150°C

+6.5VへのV_SS ............................................................................... -0.3に関するV_DDの電圧

+13.5VへのVss ............................................................................ - 0.3に関するMCLRの電圧

V_SS .................................................... -0.3Vに関する他のすべてのピンの電圧への（VDD + 0.3V）

全体の電力損失^（1） ........................................................................................................ 800 MW

V_SSピンからの最高の流れ.............................................................................................. 300 mA

V_DDピンへの最高の流れ................................................................................................. 250 mA

入力クランプ流れ、I_IK （V_私< 0="" or="" V=""> I > V_DD） ............................................................................... ±20 mA

出力クランプ流れ、Iの_OK （VO < 0="" or="" Vo="">V_DD） ........................................................................ ±20 mA

入力/出力ピンによって減少される最大出力の電流...............................................................................25 mA

入力/出力ピンによって供給された最大出力の流れ......................................................................... 25 mA

すべてのGPIOによって............................................................................................減少される最高の電流125 mA

供給された最高の流れすべてのGPIO ............................................................................................ 125 mA

ノート1:電力損失は次の通り計算されます:PDIS = VDD X {IDD - ∑ IOH} + ∑ {（VDD-VOH） x IOH} + ∑ （Vol. x IOL）。

Pinの図表