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BTA08-600C力Mosfetのトランジスター トライアックの敏感なゲート8Aのトライアック

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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BTA08-600C力Mosfetのトランジスター トライアックの敏感なゲート8Aのトライアック

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型式番号 :BTA08-600C
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :7900pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
RMSのオン州の流れ(完全な正弦波) :8 A
溶解のためのI ² tの価値 :36 ² s
ピーク ゲートの流れ :4 A
平均ゲートの電力損失 :1 つの W
貯蔵の接合部温度の範囲 :- 40への+ 150°C
作動の接合部温度の範囲 :- + 125 °Cへの40
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標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
PIC16F876A-I/SP 3000 MICROCHI 15+ すくい
PS8802-1 3000 NEC 16+ SOP8
RL207 3000 MIC 16+ DO-15
RUEF500 3000 TYCO/RAYC 14+ DIP-2
SHT15 3000 SENSIRION 14+ SMD
SK84 3000 MCC 14+ SMC
SMCJ10A 3000 VISHAY 16+ DO-214A
SMP1322-017 3000 SKYWORKS 16+ SOT-143
SN65HVD251DR 3000 チタニウム 13+ SOP8
SR05 TCT 3000 SEMTECH 15+ SOT143
STM809LWX6F 3000 ST 16+ SOT-23
STP80NS04Z 3000 ST 16+ TO-220
TC54VN3002ECB713 3000 マイクロチップ 14+ SOT23-3
TDA2003 3000 ST 14+ TO-220
TMBYV10-40FILM 3000 ST 14+ DO-213
TNY274PN 3000 16+ DIP-7
TPS2051BDBVR 3000 チタニウム 16+ SOT23-5
TPS61222DCKR 3000 チタニウム 13+ SOT363
UCLAMP0511P 3000 SEMTECH 15+ SLP1006P2
ZTX651 3000 ZETEX 16+ TO-92
ZXTN2038FTA 3000 ZETEX 16+ SOT-23
HCNW2201 3002 AVAGO 14+ SOP-8
VN46AFD 3008 VISHAY 14+ TO-220
LD7552BPS 3031 LEADTREND 14+ SOP8
DM9000EP 3100 DAVICOM 16+ TQFP100
EPM3064ATC44-10N 3100 ALTERA 16+ QFP-44
MAX488CPA 3110 格言 13+ DIP8
2SA1213-Y 3120 東芝 15+ SOT89
74OL6000 3120 FSC 16+ DIP-6
EPM240T100C5N 3120 ALTERA 16+ TQFP

 

 

BTA/BTB08およびT8シリーズ

SNUBBERLESS™、論理のレベル及び標準的な8Aトライアック

 

主な特長:

記号 価値 単位
IT(RMS) 8 A
VDRM/VRRM 600および800 V
IGT(Q1) 5から50 mA

 

記述

によ穴または表面台紙のパッケージ、BTA/BTB08およびT8トライアック シリーズで利用できる一般目的AC切換えのために適しています。それらは静的なリレーのような、熱する規則、回路を始める誘導電動機として…または軽い調光器、モータ速度のコントローラーの位相制御操作のための適用でオン/オフ機能使用することができます…

 

snubberless版(BTA/BTB… WおよびT8シリーズ)は誘導負荷、高い代わりの性能のおかげでの使用のために特に推薦されます。内部陶磁器のパッドの使用によって、BTAシリーズは電圧をULの標準(ファイル参考に従う絶縁されたタブ(2500V RMSで評価される)提供します:E81734)

 

絶対最高評価

記号 変数 価値 単位
IT(RMS) RMSのオン州の流れ(完全な正弦波)

DPAK/Dの²朴

IPAK/TO-220AB

Tc = 110°C 8 A
TO-220AB Ins。 Tc = 100°C
ITSM 非反復的なサージのピークのオン州の流れ(完全な周期、Tjの頭文字= 25°C) F = 50のHz t = 20氏 80 A
F = 60のHz t = 16.7の氏 84
I ² t 溶解のためのI² tの価値 TP = 10氏 36 ² s
dI/dt オン州の流れIの上昇の重大な率G = 2 x IGTのtrの≤ 100 ns F = 120のHz Tj = 125°C 50 A/µs
IGM ピーク ゲートの流れ TP = 20のµs Tj = 125°C 4 A
PG(AV) 平均ゲートの電力損失 Tj = 125°C 1 W

Tのstg

Tj

貯蔵の接合部温度の範囲

作動の接合部温度の範囲

 

- 40への+ 150

- 40への+ 125

°C

 

BTA08-600C力Mosfetのトランジスター トライアックの敏感なゲート8Aのトライアック

 

 

 

 

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