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FQPF10N20Cの高い発電mosfetのトランジスターはmosfet IC力Mosfetのトランジスター200V NチャネルMOSFETに動力を与えます

FQPF10N20Cの高い発電mosfetのトランジスターはmosfet IC力Mosfetのトランジスター200V NチャネルMOSFETに動力を与えます
  • FQPF10N20Cの高い発電mosfetのトランジスターはmosfet IC力Mosfetのトランジスター200V NチャネルMOSFETに動力を与えます
製品の詳細
FQP10N20C/FQPF10N20C 200V NチャネルMOSFET 概説 これらは、平面の縞専有、フェアチャイルドDMOSの技術を使用してNチャネルの強化モード力の電界効果トランジスタ作り出されます。 この先端技術は特にオン州の抵抗を最小にし、優秀な切換えの性能を提供し、なだれおよび代わり...
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