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M41T56M6集積回路の破片512ビット(64ビットx8)順次アクセスのタイムキーパーSRAM

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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M41T56M6集積回路の破片512ビット(64ビットx8)順次アクセスのタイムキーパーSRAM

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型式番号 :M41T56M6
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :5700pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
包囲された実用温度 :– 40から85 °C
10秒の鉛のはんだの温度 :260 °C
入力または出力電圧 :– 0.3から7ボルト
供給電圧 :– 0.3から7ボルト
出力電流 :20 mA
電力損失 :0.25 W
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M41T56
512ビット(64ビットx8)順次アクセスTIMEKEEPER® SRAM
 
概略特徴
■ 5V ±10%の供給電圧
秒、分、時間、日、日付、月、年および世紀の■のカウンター
迎合的な■の2000年
■ソフトウェア時計の口径測定
■の自動電源異常は回路部品を検出し、転換します
■ I互換性がある2Cバス
■一般目的のRAMの56バイト
■ 450nAの超低い電池供給の流れ
■の300µAの低い動作電流
– 85°Cへの40の■の実用温度
■の自動うるう年の補償
■の特別なソフトウェアのプログラム可能な出力
■の包装の選択は下記のものを含んでいます:
   – 28鉛SOICおよびSNAPHAT®の上(別に命令されるため)
   – SO8
 
図1. 8ピンSOICパッケージ
M41T56M6集積回路の破片512ビット(64ビットx8)順次アクセスのタイムキーパーSRAM
 
図2. 28ピンSOICパッケージ
M41T56M6集積回路の破片512ビット(64ビットx8)順次アクセスのタイムキーパーSRAM
 
概略記述
M41T56 TIMEKEEPER®は低い電力、512 - 8ビットにつき64ワードとして組織されるかまれた静的なCMOSのRAMです。作り付け32,768Hz発振器(外的な水晶制御)およびRAMの最初の8バイトは時計/カレンダー機能のために使用され、2進化10進数の(BCD)のフォーマットで形成されます。住所およびデータはtwoline、二方向バスによって連続的に移ります。作り付けのアドレス・レジスターはそれぞれの後で書くか、または読みましたデータ バイトを自動的に増加します。
M41T56時計は電源異常を検出し、電池供給に電源異常の間に自動的に転換する作り付け力の感覚回路を備えています。RAMを支えるのに必要とされるエネルギーおよびクロック オペレーションは小さいリチウム硬貨の細胞から供給することができます。
典型的なデータ保持時間は50mAhの10年、3Vリチウム細胞以上あります。M41T56は8鉛プラスチックSOICのパッケージか28で供給されます- SNAPHAT®のパッケージを導いて下さい。
28ピン、330mil SOICは電池および水晶を含んでいる別のSNAPHATハウジングへのダイレクト接続に端両方に金によってめっきされる接触をソケットに与えます。独特な設計はSNAPHAT電池のパッケージが後表面の台紙プロセスの完了SOICのパッケージの上に取付けられるようにしました。退潮の後のSNAPHATハウジングの挿入はsurfacemounting装置に必要な高温による潜在的な電池および水晶の損傷を防ぎます。SNAPHATハウジングは逆の挿入を防ぐために調整されます。SOICおよび電池/水晶パッケージはプラスチック帯電防止管またはテープ及び巻き枠の形態で別に出荷されます。
注意:これがリチウム ボタン細胞電池を流出させるので伝導性の泡にSNAPHAT電池/水晶パッケージ「M4Txx-BR12SH」を置かないで下さい。
 
図3.ロジック・ダイヤグラム
M41T56M6集積回路の破片512ビット(64ビットx8)順次アクセスのタイムキーパーSRAM
 
絶対最高評価

記号変数価値単位
TA包囲された実用温度– 40から85°C
TSTG保管温度(VCC、発振器)SNAPHAT– 40から85°C
SOIC– 55から125°C
TSLD(1,2)10秒の鉛のはんだの温度260°C
VIO入力または出力電圧– 0.3から7 V
VCC供給電圧– 0.3から7V
IO出力電流20mA
PD電力損失0.25W

注:1。そうパッケージのため、標準的な(SnPbの)鉛の終わり:225°C (その間90から150秒のための180°Cを超過しない総熱予算)のピーク温度の退潮。
2. そうパッケージのため、無鉛(Pbなしの)鉛の終わり:260°C (30秒以上のための245°Cを超過しない総熱予算)のピーク温度の退潮。
 
注意:次否定的なundershoots – 0.3Vはバッテリー・バックアップ モードであらゆるピンでが許可されません。
注意:SNAPHATのソケットを傷つけることを避けるようにはんだSOICを振らないで下さい。
 
図4. 8ピンSOIC関係は5. 28ピンSOIC関係を計算します
M41T56M6集積回路の破片512ビット(64ビットx8)順次アクセスのタイムキーパーSRAM
 
図6.ブロック ダイヤグラム
M41T56M6集積回路の破片512ビット(64ビットx8)順次アクセスのタイムキーパーSRAM
 
標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
LT1963AEST-3.313650線形15+SOT-223
LT6700IS6-113641線形15+SOT
L1117LG13625ニコス14+SOT-223
LAT-15+13600小型15+SOT-143
LAT-6+13575小型13+SOT143
MCP3421AOT-E/CH13550マイクロチップ14+SOT
LT6654AHS6-2.513525線形15+SOT
LT3470ITS813500線形15+SOT
LT3080EST#PBF13475線形15+SOT
MID400S13450フェアチャイルド12+SOP-8
ZCAT1325-0530A13440TDK15+SMD
MCP9801-M/SN13425マイクロチップ15+SOP-8
M35080MN613400ST13+SOP-8
LT3021ES8#PBF13375線形15+SOP-8
LTC1440CS813327線形14+SOP
LT1763CS8-5#PBF13325線形14+SOP-8
MAX811LEUS+T13310格言14+SOT
LT1763CS8-513300線形15+SOP-8
LT1763CS8-3.313275線形15+SOP-8
LM7808CT13260NSC15+TO-220
LT1512CS8#PBF13250線形15+SOP-8

 

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