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10 年
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特徴
•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル 
•+600Vに完全に機能した
•免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある
•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
•3.3V論理の多用性がある別の論理の供給の範囲
3.3Vから20V論理および力地上±5Vのオフセットへの
•プルダウン式のCMOSによってSchmitt誘発される入力
•周期によって端誘発される操業停止の論理による周期
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•入力との段階の出力
•また利用できる無鉛
記述
IR2112は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOSの技術は高耐久化された単一構造を可能にします。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性があります。出力運転者は最低の運転者のcrossconductionのために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にします。伝搬遅延は高周波適用の使用を簡単にするために一致します。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のNチャネル力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができます。
典型的な関係
推薦された作動条件
入出力論理のタイミング ダイアグラムは図1.で示されています。適切な処理のために装置は推薦された条件の内で使用されるべきです。対そしてVSSのオフセットの評価はすべての供給と15V差動で偏られるテストされます。他のバイアス条件の典型的な評価は図36および37で示されています。
| 記号 | 定義 | 最少。 | 最高。 | 単位 |
| VB | 高い側面の浮動の供給の絶対的存在の電圧 | + 10対 | + 20対 | V |
| 対 | 高い側面の浮動の供給のオフセットの電圧対 | ノート | 600 | |
| VHO | 高い側面の浮動の出力電圧 | 対 | VB | |
| VCC | 低い側面の固定供給電圧 | 10 | 20 | |
| VLO | 低い側面の出力電圧 | 0 | VCC | |
| VDD | 論理の供給電圧 | VSS + 3 | VSS + 20 | |
| VSS | VSSの論理の供給のオフセットの電圧-5 （ノート2） 5 | -5 （ノート2） | 5 | |
| VIN | 論理の入力電圧（HIN、林及びSD） | VSS | VDD | |
| TA | 周囲温度 | -40 | 125 |