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MR756力Mosfetのトランジスター高く現在の鉛によって取付けられる整流器

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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MR756力Mosfetのトランジスター高く現在の鉛によって取付けられる整流器

最新の価格を尋ねる
型式番号 :MR756
原産地 :フィリピン
最低順序量 :20
支払の言葉 :T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力 :20000
受渡し時間 :1
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
VRRM :600 ボルト
VRSM :720ボルト
VR (RMS) :420ボルト
IFSM :400 (1つの周期のために) A
TJ、Tstg :65から+175 °C
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高く現在の鉛によって取付けられる整流器


MR756力Mosfetのトランジスター高く現在の鉛によって取付けられる整流器特徴

•シャーシによって取付けられる整流器と対等な現在の容量

•非常に高いサージ容量

•絶縁された箱

•Pb−FreeのパッケージはAvailable*の機械特徴です:

•場合:形成されるエポキシ

•重量:2.5グラム(およそ)

•終わり:防蝕すべての外面の表面および末端の鉛は容易にSolderableです

•はんだ付けする目的のための鉛の温度:最高260°C。10秒のため

•極性:陰極の極性バンド

 

MR7 =デバイス・コード

 

XX = 50、51、52、54、56か60

    = Pb−Freeのパッケージ

 

(ノート:極小マイクロ写真はどちらの位置でもあるかもしれません)

      発注情報

seeこのデータ用紙のページの6パッケージ次元セクションの命令し、出荷情報を詳しく述べました。

 

 

MR756力Mosfetのトランジスター高く現在の鉛によって取付けられる整流器  広さVmの方形波の入力のために、効率因子はなります:

 

MR756力Mosfetのトランジスター高く現在の鉛によって取付けられる整流器

 

   (Aの全波回路にこれらの効率が二度あります)

   

   入力信号の頻度が高められるように、ダイオードの逆の回復時間(図10)は前方流れと極性で反対であるそれにより図9.で示されているように効率因子のσの価値を、減らすRLを渡る増加するAC電圧部品に終って重要に、なります。

 

   図9が波形の効率だけを示すことが強調されるべきです;それはダイオードの損失の測定を提供しません。データは本当rms AC電圧計とのVOのAC部品およびDCの電圧計が付いているDCの部品の測定によって得られました。同等化1でデータが図9.のためのポイントを得るのに使用されました。

 

 

MR756力Mosfetのトランジスター高く現在の鉛によって取付けられる整流器

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