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M2732A-2F1集積回路の破片NMOS 32K 4K X 8紫外線EPROM

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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M2732A-2F1集積回路の破片NMOS 32K 4K X 8紫外線EPROM

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型式番号 :M2732A-2F1
原産地 :フィリピン
最低順序量 :20
支払の言葉 :T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力 :20000
受渡し時間 :1
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
入力上昇および落下時間 :≤ 20ns
入力パルスの電圧 :0.45Vへの2.4V
Ref. Voltagesを時間を計る入出力 :0.8Vへの2.0V
入力キャパシタンス(GVPPを除いて) :6 pF
入力キャパシタンス(GVPP) :20 pF
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NMOS 32K (4K X 8)紫外線EPROM


M2732A-2F1集積回路の破片NMOS 32K 4K X 8紫外線EPROM►の高速アクセス時間:200ns

►EXTENDEDの温度較差

►SINGLE 5Vの供給電圧

►LOWのスタンバイの流れ:最高35mA

►INPUTSおよび出力TTL

読まれたおよびプログラム►COMPLETELY空電の間の►COMPATIBLE

 

記述

  M2732Aはビット紫外線消去可能で、電気でプログラム可能な記憶32,768 EPROMです。それは8ビットにつき4,096ワードとして組織されます。単一5V電源と200 nsのアクセス時間のM2732Aは、速い適用に適する理想向きを変え、模造します実験1の重要な条件のです。

 

  M2732Aはピン窓の陶磁器のフリット シールの二重ラインのパッケージ24個でhonsed。透明なふたはユーザーがビット構成を消すために紫外線--に破片をさらすことを可能にします。新しいパターンはclericeにプログラミングのプロシージャに続くことによってそれから書くことができます。

 

表1.信号の名前

A0 - A11  住所入力
Q0 - Q7  データ出力
破片は可能になります
GVPP  出力/プログラム供給は可能になります
VCC  供給電圧
VSS  地面

 

M2732A-2F1集積回路の破片NMOS 32K 4K X 8紫外線EPROM  出力ピンにデータ ゲートで制御するのに装置選択の独立者を使用されていて下さい。住所が安定していると仮定して、住所アクセス時間(tAVAQ)はEからの出力(tELQV)と遅れと等しいです。データはEが低く、住所が少なくともずっとtAVQV-tGLQVのために安定していると仮定するGの落ちる端の後で出力で利用できます。

 

 

待機モード

M2732Aに70%アクティブな電源の流れを減らす、125 mAから35 mAからあります待機モードが。M2732Aは待機モードにEの入力にTTL高い信号を加えることによって置かれます。待機モードで、出力は高いインピーダンス状態、GVPPの入力の独立者にあります時。

  M2732Aのための6つの運営方法はオペレーティング・モードのテーブルにリストされています。単一5V電源は読まれたモードに要求されます。すべての入力はVPPを除いてTTLのレベルです。

 

2ライン出力制御

M2732Aが通常より大きい記憶配列で使用されるので、この製品の機能多数の記憶関係の使用を収容する2回線制御機能。2回線制御機能は割り当てます:

a. 最も低く可能な記憶電力損失、

b. 出力バス競合が起こらないという保証を完了して下さい。

 

読まれたモードAC波形

M2732A-2F1集積回路の破片NMOS 32K 4K X 8紫外線EPROM

 

 

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