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六角形の非逆になる緩衝HEF4050BT集積回路の破片の電子工学ICの破片

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六角形の非逆になる緩衝HEF4050BT集積回路の破片の電子工学ICの破片

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型式番号 :HEF4050BT
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :300PCS
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
特徴 1 :供給電圧以上入力電圧を受け入れます
特徴 2 :十分に静的な操作
特徴 3 :5ボルト、10ボルトおよび15のVのパラメーター付き評価
特徴 4 :標準化された対称の出力特性
特徴 5 :+85 °Cに完全な産業温度較差−40の°Cを渡って作動します
特徴 6 :JEDEC標準的なJESD 13-Bに従います
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概説

 

HEF4050Bは高い現在の出力の機能を6つの非逆になる緩衝に与えます

TTLか高い容量性負荷を運転するために適した。以上の入力電圧以来

緩衝の供給電圧はまた、緩衝使用されるかもしれません論理のレベルを変えるのに許可されます

標準的なTTLのレベルへの15ボルトまでの。

 

それはVSSに参照される3ボルトから15ボルトの推薦されたVDDの電源の範囲に作動します

(通常ひかれる)。未使用の入力はVDD、VSS、または別の入力に接続されなければなりません。それはあります

産業上の使用のためにまた適した(+85の°C)の温度較差への−40 °C。

 

 

特徴

 

■は供給電圧以上入力電圧を受け入れます

■の十分に静的な操作

■ 5 V、10ボルトおよび15のVのパラメーター付き評価

■によって標準化される対称の出力特性

■は+85 °Cに完全な産業温度較差−40の°Cを渡って作動します

■はJEDEC標準的なJESD 13-Bに従います

■ ESDの保護:

    ◆ HBM JESD22-A114Eは2000ボルトを超過します

    ◆ MM JESD22-A115-Aは200ボルトを超過します

 

 

適用

 

DTL/TTLのコンバーターへの■ LOCMOS (ローカル酸化CMOS)

■の2つのTTLの負荷を運転するための高い流しの流れ

■の高に低く水平な論理の転換

 

 

機能図

 

六角形の非逆になる緩衝HEF4050BT集積回路の破片の電子工学ICの破片

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

情報をピンで止めること

 

六角形の非逆になる緩衝HEF4050BT集積回路の破片の電子工学ICの破片

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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