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10 年
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業界標準の単一チャネル6 Pinのすくいオプトカプラー
装置タイプ
部品番号CTRの最少部品番号CTR % %のMin.の。
4N25 20 MCT2 20
4N26 20 MCT2E 20
4N27 10 MCT270 50
4N28 10 MCT271 45-90
4N35 100 MCT272 75-150
4N36 100 MCT273 125-250
4N37 100 MCT274 225-400
4N38 10 MCT275 70-90
H11A1 50 MCT276 15-60
H11A2 20 MCT277 100
H11A3 20
H11A4 10
H11A5 30
特徴
•共通の論理家族が付いているインターフェイス
•入出力カップリング キャパシタンス < 0="">
•業界標準の二重ライン6ピン パッケージ
•TRIOS®による分野効果の馬小屋
•5300 VRMSの分離テスト電圧
•保険業者の実験室ファイル#E52744
•選択1と利用できるVDE #0884の承認
適用
•AC本管の検出
•Reedのリレー運転
•モード電源のフィードバックを転換して下さい
•リング検出に電話をかけて下さい
•論理の地上の分離
•高周波音の拒絶の論理のカップリング
注:データ用紙との設計はアプリケーション ノート45でカバーされます。
記述
このデータ用紙はVishayの業界標準の単一チャネルのフォトトランジスターのカプラーの5つの系列を示します。これらの家族は4N25/26/27/28タイプ、4N35/36/37/38カプラー、H11A1/A2/A3/A4/A5、MCT2/2EおよびMCT270/271/272/273/274/275/276/277装置を含んでいます。各オプトカプラーはガリウム砒素赤外線LEDおよびケイ素NPNのフォトトランジスターから成っています。
これらのカプラーは5300 VRMSの分離テスト電圧に従うためにリストされている保険業者の実験室(UL)です。この分離の性能はVishayの倍の鋳造物の分離の製造工程によって堪能です。VDE 0884の部分的な排出の分離の指定への承諾はフォトトランジスターの基質の透明なlOnの盾（トリオ）の®を組み込むことによって、高い分離の電圧の前で発注、によってこれらの家族のために利用できます選択1.フォトトランジスターの利益安定性の保証されます。商業プラスチック フォトトランジスター オプトカプラーのために利用できる最も高い分離の性能のこれらの分離プロセスそしてVishay IS09001の品質プログラムの結果。
装置は表面取り付けのために適した鉛によって形作られる構成で利用でき、テープで、または標準的な管の輸送箱で利用でき巻き取ります。
最高の評価TA=25°C
エミッター
逆電圧.......................................................................................... 6.0ボルト
前方流れ........................................................................................ 60 mA
サージ電流（t≤10 µs） ...............................................................................2.5 A
電力損失...................................................................................100 MW
探知器
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧...........................................................70ボルト
エミッター基盤の絶縁破壊電圧................................................................7.0 V
コレクター流れ....................................................................................... 50 mA
コレクター流れ（t <1>
電力損失...................................................................................150 MW
パッケージ
分離テスト電圧..........................................................................5300ボルトRMS
表面漏れ.............................................................................................. ≥7.0 mm
整理............................................................................................. ≥7.0 mm
エミッターと探知器間の分離の厚さ...............................≥0.4 mm
DIN IEC 112/VDE0303、パート1 .................. 175ごとの比較追跡索引
分離の抵抗
VIO=500 V、TA=25°C ............................................................................... 1012 Ω
VIO=500 V、TA=100°C ............................................................................1011 Ω
保管温度................................................................– 55°Cへの+150°C
実用温度............................................................ – 55°Cへの+100°C
接合部温度................................................................................100°C
はんだ付けする温度（最高。10 sのすくいのはんだ付けすること:
着席の平面≥1.5 mm） ...................................................... 260°Cへの間隔