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10 年
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ケイ素PNP力トランジスター2SA1943
記述
·TO-3PLのパッケージを使って 
·2SC5200をタイプする補足物
適用
·電力増幅器の塗布
·ハイ ファイ100Wのために推薦される
低周波のアンプの出力段階
ピンで止めること
| PIN | 記述 |
| 1 | エミッター |
| 2 |
コレクター;に接続される 土台の基盤 |
| 3 | 基盤 |
特徴Tj=25℃他に特に規定がなければ
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | TYP. | MAX | 単位 |
| V（BR）CEO | コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | IC=-50mA;IB=0 | -230 | V | ||
| VCEsat | コレクター エミッターの飽和電圧 | IC=-8A IB=-0.8A | -3.0 | V | ||
| Vあって下さい | 基盤エミッターの電圧 | IC=-7A;VCE=-5V | -1.5 | V | ||
| ICBO | コレクタ遮断電流 | VCB=-230V;すなわち=0 | -5 | μA | ||
| IEBO | エミッターの締切りの流れ | VEB=-5V;IC=0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | DCの現在の利益 | IC=-1A;VCE=-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | DCの現在の利益 | IC=-7A;VCE=-5V | 35 | |||
| fT | 転移の頻度 | IC=-1A;VCE=-5V | 30 | MHz | ||
| COB | コレクターの出力キャパシタンス | f=1MHz;VCB=-10V | 360 | pF |
hFE-1の分類
| R | O |
| 55-110 | 80-160 |
パッケージの輪郭