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1. 概説
74HC4051;74HCT4051は高速SiゲートCMOS装置で、ローパワー ショットキーTTL （LSTTL）と互換性があるピンです。装置はJEDECの標準いいえ7Aに従って指定されます。
74HC4051;74HCT4051は3つのデジタル選り抜き入力（S0へのS2）が付いている8チャンネル アナログの多重交換装置/デマルチプレクサー、活動的低いの（e）、8つの独立した入力/出力（Y0へのY7）および共通入出力（z）を入れることを可能になりますです。低いEを使うと8つのスイッチの1つはS0へのS2によって（低いインピーダンス オン州）選ばれます。
高いEを使うとすべてのスイッチはオフ状態高インピーダンスS0へのS2の独立者にあります。VCCおよびGNDはデジタル制御の入力（S0へのS2のための供給電圧ピン、およびE）です。GNDの範囲へのVCCは2.0ボルトから74HC4051のための10.0ボルトおよび4.5ボルトから74HCT4051のための5.5ボルトです。アナログ入力/出力（Y0へのY7は否定的な限界として肯定的な限界およびVとしてVCCの間で、およびZ）振れることができます。VCCはVEE 10.0のV.を超過しないかもしれません。
デジタル多重交換装置/デマルチプレクサーとして操作のために、VEEはGNDに接続されます（普通ひかれる）。
2. 特徴および利点
の- 5ボルトから+5ボルト広いアナログ入力の電圧範囲
抵抗で低い:
VCCの- Vの80のΩ （典型的な）EE = 4.5ボルト
VCCの- Vの70のΩ （典型的な）EE = 6.0ボルト
VCC- Vの60のΩ （典型的な）EE = 9.0ボルト
の論理のレベル翻訳:5ボルトの論理が+-5のVのアナログ信号と伝達し合うことを可能にするため
の典型的な『壊れ目はの前の』組み込みを作ります
ESDの保護:
HBM JESD22-A114Fは2000ボルトを超過します
MM JESD22-A115-Aは200ボルトを超過します
の多数のパッケージの選択
+125℃に- 40 ℃から+85 ℃およびへの- 40 ℃指定される
3. 適用
のアナログに多重型になり、多重分離すること
多重型になり、多重分離するデジタル
信号のゲートで制御すること
4. 発注情報
| 数をタイプして下さい | パッケージ | |||
| 温度較差 | 名前 | 記述 | 版 | |
|
74HC4051N 74HCT4051N |
- +125 ℃への40 ℃ | DIP16 | プラスチック二重インライン パッケージ;16の鉛（300ミル） | SOT38-4 |
|
74HC4051D 74HCT4051D |
- +125 ℃への40 ℃ | SO16 | プラスチック小さい輪郭のパッケージ;16の鉛;ボディ幅3.9 mm | SOT109-1 |
|
74HC4051DB 74HCT4051DB |
- +125 ℃への40 ℃ | SSOP16 | プラスチック収縮の小さい輪郭のパッケージ;16の鉛;ボディ幅5.3 mm | SOT338-1 |
|
74HC4051PW 74HCT4051PW |
- +125 ℃への40 ℃ | TSSOP16 | プラスチック薄い収縮の小さい輪郭のパッケージ;16の鉛;ボディ幅4.4 mm | SOT403-1 |
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74HC4051BQ 74HCT4051BQ |
- +125 ℃への40 ℃ | DHVQFN16 | プラスチック二重インライン多用性がある上昇温暖気流は非常に薄いクォードの平らなパッケージを高めました;鉛無し;16台のターミナル;ボディ2.5 * 3.5 * 0.85 mm | SOT763-1 |
5. 機能図
