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1. 概説
74HC245;74HCT245は高速SiゲートCMOS装置で、ローパワー ショットキーTTL （LSTTL）と互換性があるピンです。
74HC245;74HCT245は多用性がある出力がの方向を送り、受け取る非逆になる3州のバスを特色にする8のトランシーバーです。74HC245;74HCT245は出力を方向制御の容易な滝のように落ちることおよび送信/受信の入力（DIR）のために（OE）入ることを可能になります特色にします。OEはバスが効果的に隔離されるように出力を制御します。
74HC245;74HCT245は74HC640に類似しています;74HCT640にしかし本当の（非逆になる）出力があります。
2. 特徴
■の8の二方向のバス・インターフェース
■の非逆になる3州の出力
■の多数のパッケージの選択
■はJEDECの標準いいえ7Aに従います
■ ESDの保護:
◆ HBM EIA/JESD22-A114-Bは2000ボルトを超過します
◆ MM EIA/JESD22-A115-Aは200ボルトを超過します
−40 °C +85 °Cにと−40 °Cから+125 °Cに指定される■
3. 即時参考データ
GND = 0ボルト;Tのamb = 25 °C;tr = tf = 6 ns
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| 74HC245をタイプして下さい | ||||||
| tPHL、tPLH |
伝搬遅延 にBn.かBn.に |
CL = 15 pF; VCC =5V |
- | 7 | - | ns |
| CI | 入力キャパシタンス | - | 3.5 | - | pF | |
| C入力/出力 | 入出力キャパシタンス | - | 10 | - | pF | |
| CPD |
電力損失キャパシタンス每の トランシーバー |
VI = GNDへのVCC | [1] - | 30 | - | pF |
| 74HC245をタイプして下さい | ||||||
| tPHL、tPLH |
伝搬遅延 にBn.かBn.に |
CL = 15 pF; VCC =5V |
- | 10 | - | ns |
| CI | 入力キャパシタンス | - | 3.5 | - | pF | |
| C入力/出力 | 入出力キャパシタンス | - | 10 | - | pF | |
| CPD |
電力損失キャパシタンス每の トランシーバー |
VI = GNDへの V −CCの1.5 V |
[1] - | 30 | - | pF |
[1動的電力損失（µWのPD）を定めるのに] CPDが使用されています:
PD = CPDの× Vの×CC2の× fIのN + ∑ （CLの× Vの×CC2のfo）ところ:
fI = MHzの入れられた頻度;
fo = MHzの出力された頻度;
CL = pFの出力された負荷キャパシタンス;
VCC = Vの供給電圧;
N =入力転換の数;
∑ （× CL × VのCC2のfo） =出力の合計。
4. 機能図
