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新しい及び原物50のmA Mosfet力モジュール40AのトライアックBTA40-600

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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新しい及び原物50のmA Mosfet力モジュール40AのトライアックBTA40-600

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型式番号 :BTA40-600
原産地 :元の工場
最低順序量 :5 袋
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :850pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
それ(RMS) :40 A
VDRM/VRRM :600のそして800ボルト
IGT (Q1) :50 mA
IGM :8 A
ページ(AV) :1 つの W
I t :880 s
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40Aトライアック
 
主な特長:新しい及び原物50のmA Mosfet力モジュール40AのトライアックBTA40-600

   記号             価値        単位
  IT(RMS)             40         A
  VDRM/VRRM            600および800         V
  IGT(Q1)             50        mA

 
記述
高い発電のパッケージで利用できる、BTA/BTB40-41シリーズは一般目的の交流電力の切換えのために適しています。それらは静的なリレーのような適用でとして給湯装置、回路、溶接装置を始める誘導電動機…オン/オフ機能、熱する規則使用する、ことができますまたは高い発電のモータ速度のコントローラーの位相制御操作のために、柔らかい開始は巡回します…
 
クリップ アセンブリ技術のおかげで、それらは機能を扱うサージ電流の優秀な性能を提供します。
 
内部陶磁器のパッドの使用によって、BTAシリーズは電圧をULの標準(ファイル参考に従う絶縁されたタブ(2500ボルトRMSで評価される)提供します:E81734)。
 
 
 

絶対最高評価

  記号                                              変数        価値    単位

   IT(RMS)
 

  RMSのオン州の流れ
 (完全な正弦波)
 

      RD91   Tc = 80°C       40      A
      TOP3
      TOP3 Ins。   Tc = 70°C
  ITSM

  非反復的なサージのピークのオン州
 流れ(完全な周期、Tjの頭文字= 25°C)

  F = 60のHz   t = 16.7の氏      420      A
  F = 50のHz    t = 20氏      400
   それ   溶解のためのI tの価値                      TP = 10氏       880      s
  dI/dt

  オン州の流れの上昇の重大な率
 IG =2xIGTのtrの≤ 100 ns

  F = 120のHz   Tj = 125°C       50     A/µs
VDSM/VRSM   非反復的なサージのピークのオフ状態の電圧   TP = 10氏   Tj = 25°C

 VDRM/VRRM
   + 100

     V
  IGM   ピーク ゲートの流れ   TP = 20のµs    Tj = 125°C        8      V
  PG(AV)   平均ゲートの電力損失   Tj = 125°C        1      W

  Tのstg
   Tj

  貯蔵の接合部温度の範囲
 作動の接合部温度の範囲

 - 40への+ 150
 - 40への+ 125

     °C

 
 
電気特徴(Tj = 25°C、他に特に規定がなければ)

 記号       テスト条件   象限儀       価値    単位
  IGT (1)   VD = 12ボルトRL = 33 Ω

   I - II - III
     IV

   MAX.

     50
   100

  mA
 

  VGT    すべて    MAX.      1.3    V
  VGD  VD = VDRM RL = 3.3 kΩ Tj = 125°C    すべて     最少。      0.2    V
  IH (2)  IT = 500 mA     MAX.      80    mA
  IL  IG = 1.2 IGT

  I - III - IV
      II

    MAX.
 

     70
   160

   mA
 dV/dt (2)   VD = 67% VDRMのゲート開いたTj = 125°C     最少。      500   V/µs
(dV/dt) c (2)   (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C     最少。       10   V/µs

 

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