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RFの変圧器ADT1-1WT+の集積回路の破片の電子工学ICの破片

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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RFの変圧器ADT1-1WT+の集積回路の破片の電子工学ICの破片

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型式番号 :ADT1-1WT+
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :2800pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
動作温度 :-20°C への 85°C
保存温度 :-55°C への 100°C
RF 力 ::.25
DC の流れ :30mA
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RFの変圧器ADT1-1WT+

 

最高の評価

実用温度-20°Cへの85°C

保管温度-55°Cへの100°C

RF力0.5W

DC現在の30mA

 

ピン接続

第一次点3

第一次1

二次点6

二次4

SECONARY CT 2

使用されなかった5

 

外形図

 

RFの変圧器ADT1-1WT+の集積回路の破片の電子工学ICの破片

 

特徴

•優秀な広さの不均衡、0.1 dBのtyp。そして段階の不均衡、1つのdeg。typ。1dB帯域幅

•水様の洗濯できる

•米国のパテント6,133,525の下で保護される

 

適用 

•インピーダンス・マッチング

•釣り合ったアンプ

 

変圧器の電気指定

         Ω

      比率

 

 

 

 

 

 

 

   頻度

        (MHz)

 

 

 

 

 

      挿入LOSS*

 

 

 

   3dB 2dB 1dB

   MHz MHz MHz

         段階

     不均衡

           (Deg。)

             Typ。

    1つのdB 2 dBの帯域幅の帯域幅

      広さ

      不均衡

             (dB)

              Typ。

     1つのdB 2 dBの帯域幅の帯域幅

          1       0.4-800  0.4-800 0.5-700 1-400          1 4          0.1 0.5

*挿入損失は中間帯域損失、0.3 dBのtypに参照されます。

 

典型的なパフォーマンス データ

   頻度INERTIONの入力広さ段階 

         (MHz) LOSS R. LOSS UNBALANCEの不均衡

                                               (dB) (dB) (dB) (Deg。)

           0.30 0.68 12.11 0.15 0.25

           1.00 0.57 14.38 0.07 0.36

           5.00 0.42 15.29 0.03 0.41

         10.00 0.38 15.54 0.00 0.40

         25.00 0.38 15.73 0.02 0.37

         50.00 0.38 15.91 0.03 0.49

       200.00 0.48 17.38 0.03 1.48

       400.00 0.64 19.64 0.26 2.02

       600.00 1.18 15.20 0.79 1.45

       800.00 2.44 9.75 1.72 0.40

 

 

ADT1-1WTの挿入損失

 

RFの変圧器ADT1-1WT+の集積回路の破片の電子工学ICの破片

 

 

 

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