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10 年
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スマートな高側の電源スイッチ2チャネル:2 x 30mΩの現在の感覚
プロダクト概要のパッケージ
| 操作電圧Vbb（） | 5.0… 34V | |
| 活動的なチャネル | 1つ | 2平行 |
| オン州の抵抗R | 30mΩ | 15mΩ |
| わずかな負荷流れIL（NOM） | 5.5A | 8.5A |
| 現在の限定IL（SCr） | 24A | 24A |
概説
•Nチャネル チャージ ポンプを搭載する縦力MOSFETは、参照されたCMOSの多用性がある入力をひきました、
診断フィードバックおよび比例した負荷現在の感覚はスマートなSIPMOSので一貫して統合しました
技術。
•埋め込まれた保護機能の提供
適用
•µCの12Vおよび24Vのための診断フィードバックを用いる多用性がある高側の電源スイッチは負荷を基づかせていました
•すべてのタイプの抵抗の、誘導およびcapacitveの負荷
•高い侵入の流れが付いている負荷のために最も適した、ためにランプ
•電気機械のリレー、ヒューズおよび分離した回路を取り替えます
基本的な機能
•CMOSの多用性がある入力
•オートリスタートおよびヒステリシスを用いる不足電圧および過電圧の操業停止
•誘導負荷の速い消磁
•負荷地面からの論理の地上の独立者
保護機能
•短絡の保護
•積み過ぎの保護
•現在の限定
•熱操業停止
•外面の過電圧の保護（を含む負荷ダンプ）
抵抗器
•外的な抵抗器を搭載する逆電池の保護
•地面の損失およびVbbの保護の損失
•静電放電の保護（ESD）
診断機能
•Proportinalの負荷現在の感覚
•開いた下水管の出力との診断フィードバック
•外的な抵抗器とのオフ状態の負荷検出を開けて下さい
•オン州の熱操業停止のフィードバック
機能図
Tj = 25°Cの最高の評価他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 供給電圧 | Vbb | 43 | V |
| 完全な短絡の保護Tj、開始=-40… +150°Cのための供給電圧 | Vbb | 34 | V |
| 負荷流れ | IL | 自己限られた | A |
負荷ダンプprotection1） VLoadDump = VA + Vs、VA = 13.5ボルト | VLoaddump3） | 60 | V |
実用温度範囲 | Tj | -40… +150 | °C |
電力損失(DC) 4） Ta = 25°C: | Pの幼児 | ||
最高の切替可能なインダクタンス、単一の脈拍 | | | |
静電放電の機能（ESD）の: | VESD | 1.0 | kV |
| 入力電圧（DC） | VINに | -10… +16 | V |
入力ピン（DC）を通した流れ | IINに | ±2.0 | mA |