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プラスチック ダーリントン補足力mosfetのケイ素力トランジスター2N6038
プラスチック ダーリントンの補足のケイ素力トランジスターは一般目的のアンプおよびlow−speed転換の適用のために設計されています。
•高いDCの現在の利益— hFE = 2000年（Typ） @ IC = 2.0 Adc
•コレクター エミッターの支える電圧— @ 100 mAdc
VCEO（SU） = 60 Vdc （分） — 2N6035、2N6038 = 80 Vdc
（分） — 2N6036、2N6039
•順方向にバイアスされた第2故障の現在の機能IS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc
•LimitELeakageの乗法への作り付けの基盤エミッターの抵抗器を搭載する単一構造
•スペース節約の高い性能に費用の比率TO-225AAのプラスチック パッケージ
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
|
Collector−Emitterの電圧2N6034 2N6035、2N6038 2N6036、2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
Vdc |
|
Collector−Baseの電圧2N6034 2N6035、2N6038 2N6036、2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
Vdc |
| Emitter−Baseの電圧 | VEBO | 5.0 | Vdc |
|
連続的なコレクター流れ ピーク |
IC |
4.0 8.0 |
Adc Apk |
| 基礎流れ | IB | 100 | mAdc |
|
総装置消滅@ TC = 25°C 25°Cの上で軽減して下さい |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
|
総装置消滅@ TC = 25°C 25°Cの上で軽減して下さい |
PD |
1.5 12 |
W mW/°C |
| 操作および貯蔵の接合部温度の範囲 | TJのTのstg | – 65から+150 | °C |
| 独特 | 記号 | 最高 | 単位 |
| 熱抵抗、Junction−to−Case | RJC | 3.12 | °C/W |
| 熱抵抗、Junction−to−Ambient | RJA | 83.3 | °C/W |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれません。最高の評価は圧力の評価だけです。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されません。推薦された作動条件の上の圧力への延長露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれません。
| 独特 | 記号 | 分 | 最高 | 単位 |
| 特徴を離れて | ||||
|
Collector−Emitterの支える電圧 （IC = 100 mAdc、IB = 0） 2N6034 2N6035、2N6038 2N6036、2N6039 |
VCEO（SU） |
40 60 80 |
-- -- -- |
Vdc |
|
Collector−Cutoffの流れ （VCE = 40 Vdc、IB = 0） 2N6034 （VCE = 60 Vdc、IB = 0） 2N6035、2N6038 （VCE = 80 Vdc、IB = 0） 2N6036、2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
uA |
|
Collector−Cutoffの流れ （VCE = 40 Vdc、VBE （） = 1.5 Vdc） 2N6034 （VCE = 60 Vdc、VBE （） = 1.5 Vdc） 2N6035、2N6038 （VCE = 80 Vdc、VBE （） = 1.5 Vdc） 2N6036、2N6039 （VCE = 40 Vdc、VBE （） = 1.5 Vdc、TC = 125C） 2N6034 （VCE = 60 Vdc、VBE （） = 1.5 Vdc、TC = 125C） 2N6035、2N6038 （VCE = 80 Vdc、VBE （） = 1.5 Vdc、TC = 125C） 2N6036、2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
uA |
|
Collector−Cutoffの流れ （VCB = 40 Vdc、IE = 0） 2N6034 （VCB = 60 Vdc、IE = 0） 2N6035、2N6038 （VCB = 80 Vdc、IE = 0） 2N6036、2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0.5 0.5 0.5 |
mAdc |
| Emitter−Cutoffの流れ（VBE = 5.0 Vdc、IC = 0） | IEBO | -- | 2.0 | mAdc |
| 特徴 | ||||
|
DCの現在の利益 （IC = 0.5 Adc、VCE = 3.0 Vdc） （IC = 2.0 Adc、VCE = 3.0 Vdc） （IC = 4.0 Adc、VCE = 3.0 Vdc） |
hFE |
500 750 100 |
-- 15,000 -- |
-- |
|
Collector−Emitterの飽和電圧 （IC = 2.0 Adc、IB = 8.0 mAdc） （IC = 4.0 Adc、IB = 40 mAdc） |
Vセリウム（坐る） |
-- -- |
2.0 3.0 |
Vdc |
|
Base−Emitterの飽和電圧 （IC = 4.0 Adc、IB = 40 mAdc） |
Vあって下さい（坐らせる） | -- | 4.0 | Vdc |
|
電圧のBase−Emitter （IC = 2.0 Adc、VCE = 3.0 Vdc） |
Vあって下さい（） | -- | 2.8 | Vdc |
| 動特性 | ||||
|
Small−Signal Current−Gain （IC = 0.75 Adc、VCE = 10 Vdc、f = 1.0 MHz） |
|hfe| | 25 | -- | -- |
|
出力キャパシタンス （VCB = 10のVdc、IE = 0、f = 0.1 MHz） 2N6034、2N6035、2N6036 2N6038、2N6039 |
Cのob |
-- -- |
200 100 |
pF |
*IndicatesのJEDECによって登録されているデータ。
